[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال23 صفحات 385-388 برگشت به فهرست نسخه ها
تأثیر جایگاه نقص در بلور فوتونی یک بعدی گرافن پایه بر جذب نوری
خانم آرزو رشیدی *1، دکتر عبدالرحمن نامدار2، دکتر رضا عبدی قلعه3
1- دانشجوی دکتری دانشگاه تبریز
2- استاد دانشگاه تبریز
3- استادیار دانشگاه بناب
چکیده:   (546 مشاهده)

در این مقاله اثر تعداد تناوب سلول­های واحد اطراف لایه ­ی نقص در یک بلور فوتونی یک بعدی گرافن پایه را بر طیف جذب بررسی می­کنیم. با فرض اینکه تعداد تناوب سلول واحد قبل و بعد از لایه­ی نقص به ترتیب m و n باشد،  نشان می­ دهیم که در هر m با افزایش n، جذب در محل مد نقص رو به بهبود می­ گذارد. بعلاوه، برای دست­یابی به جذب افزایش یافته در ساختار، علاوه بر n های بالاتر بایستی از m های پایین نیز استفاده کرد.

واژه‌های کلیدی: بلور فوتونی یک بعدی گرافن پایه، جذب افزایش یافته، مد نقص
متن کامل [PDF 574 kb]   (212 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

کد امنیتی را در کادر بنویسید >


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Rashidi A, Namdar A, Abdi-Ghaleh R. Effect of Defect Position on Optical Absorption in a Graphene-Based One-Dimensional Photonic Crystal. ICOP & ICPET. 2017; 23 :385-388
URL: http://opsi.ir/article-1-1255-fa.html

رشیدی آرزو، نامدار عبدالرحمن، عبدی قلعه رضا. تأثیر جایگاه نقص در بلور فوتونی یک بعدی گرافن پایه بر جذب نوری. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1395; 23 () :385-388

URL: http://opsi.ir/article-1-1255-fa.html



جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.056 seconds with 799 queries by yektaweb 3600