اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 304 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21788747 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12438 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال23 صفحات 388-385 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Rashidi A, Namdar A, Abdi-Ghaleh R. Effect of Defect Position on Optical Absorption in a Graphene-Based One-Dimensional Photonic Crystal. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2017; 23 :385-388
URL: http://opsi.ir/article-1-1255-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1255-fa.html
رشیدی آرزو، نامدار عبدالرحمن، عبدی قلعه رضا. تأثیر جایگاه نقص در بلور فوتونی یک بعدی گرافن پایه بر جذب نوری. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1395; 23 () :385-388
آرزو رشیدی*1 
، عبدالرحمن نامدار1 ، رضا عبدی قلعه2
، عبدالرحمن نامدار1 ، رضا عبدی قلعه2
1- دانشگاه تبریز
2- دانشگاه بناب
2- دانشگاه بناب
چکیده: (3020 مشاهده)
در این مقاله اثر تعداد تناوب سلولهای واحد اطراف لایه ی نقص در یک بلور فوتونی یک بعدی گرافن پایه را بر طیف جذب بررسی میکنیم. با فرض اینکه تعداد تناوب سلول واحد قبل و بعد از لایهی نقص به ترتیب m و n باشد، نشان می دهیم که در هر m با افزایش n، جذب در محل مد نقص رو به بهبود می گذارد. بعلاوه، برای دستیابی به جذب افزایش یافته در ساختار، علاوه بر n های بالاتر بایستی از m های پایین نیز استفاده کرد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
