در این مقاله، اثر فوتورسانندگی ماندگار  در ساختار دور آلاییده معکوس  p-Si/SiGe/Si  رشد یافته به روش برآرایی پرتو مولکولی ، بررسی شده است. در لایه آلیاژی این ساختارها  (SiGe) گاز حفره­ای دوبعدی 2DHG با چگالی سطحی n_h مشاهده شده است که با تابش نور می­توان چگالی آن­را تغییر داد. نتایج تجربی بدست آمده با استفاده از آزمایش اندازه گیری اثر هال  مشخص می­کند که تابش نور قرمز به  ساختار در دمای  4.2   چگالی گاز حفره­ای دوبعدی و رسانندگی ساختار را افزایش میدهد.  این افزایش ناشی از جذب نور در لایه پوششی ساختار و تولید زوج الکترون- حفره و خنثی شدن بارهای سطحی است.