[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال23 صفحات 861-864 برگشت به فهرست نسخه ها
اثر فوتورسانندگی ماندگار در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si
آرشتی مریم قلی زاده*
، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری
چکیده:   (807 مشاهده)

در این مقاله، اثر فوتورسانندگی ماندگار  در ساختار دور آلاییده معکوس  p-Si/SiGe/Si  رشد یافته به روش برآرایی پرتو مولکولی ، بررسی شده است. در لایه آلیاژی این ساختارها  (SiGe) گاز حفره­ای دوبعدی 2DHG با چگالی سطحی nh مشاهده شده است که با تابش نور می­توان چگالی آن­را تغییر داد. نتایج تجربی بدست آمده با استفاده از آزمایش اندازه گیری اثر هال  مشخص می­کند که تابش نور قرمز به  ساختار در دمای  4.2   چگالی گاز حفره­ای دوبعدی و رسانندگی ساختار را افزایش میدهد.  این افزایش ناشی از جذب نور در لایه پوششی ساختار و تولید زوج الکترون- حفره و خنثی شدن بارهای سطحی است.

واژه‌های کلیدی: ساختار دور آلاییده معکوس، فوتورسانندگی، گاز حفره‌ای دوبعدی
متن کامل [PDF 601 kb]   (210 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

gholizadeh M. Persistent Photoconductivity Effect in p-Si/SiGe/Si Inverted Remote Modulation Structure . ICOP & ICPET. 2017; 23 :861-864
URL: http://opsi.ir/article-1-1246-fa.html

قلی زاده مریم. اثر فوتورسانندگی ماندگار در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si. کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1395; 23 () :861-864

URL: http://opsi.ir/article-1-1246-fa.html



جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3767