برقراری ارتباط
جلد 23 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال23 صفحات 864-861 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
gholizadeh M. Persistent Photoconductivity Effect in p-Si/SiGe/Si Inverted Remote Modulation Structure . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2017; 23 :861-864
URL: http://opsi.ir/article-1-1246-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1246-fa.html
قلی زاده مریم. اثر فوتورسانندگی ماندگار در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1395; 23 () :861-864
، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری
چکیده: (2259 مشاهده)
در این مقاله، اثر فوتورسانندگی ماندگار در ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si رشد یافته به روش برآرایی پرتو مولکولی ، بررسی شده است. در لایه آلیاژی این ساختارها (SiGe) گاز حفرهای دوبعدی 2DHG با چگالی سطحی nh مشاهده شده است که با تابش نور میتوان چگالی آنرا تغییر داد. نتایج تجربی بدست آمده با استفاده از آزمایش اندازه گیری اثر هال مشخص میکند که تابش نور قرمز به ساختار در دمای 4.2 چگالی گاز حفرهای دوبعدی و رسانندگی ساختار را افزایش میدهد. این افزایش ناشی از جذب نور در لایه پوششی ساختار و تولید زوج الکترون- حفره و خنثی شدن بارهای سطحی است.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
