برقراری ارتباط
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
URL: http://opsi.ir/article-1-1170-fa.html
در این پژوهش برای لایه نشانی پروسکایت ، از روش لایه نشانی دو مرحله ای استفاده شد. در مرحله اول، محلول سرب یدید به روش لایه نشانی چرخشی بر روی لایه ی نانو ساختار تیتانیوم دی اکسید قرار گرفت. در مرحله دوم، با روش لایه نشانی غوطه وری، محلول ایزوپروپانول HC(NH2)2Iبا دماهای مختلف بر روی سرب یدید نشانده شد. نتیجه ی این دو مرحله لایه نشانی ، قرار گرفتن یک لایه ی پروسکایت HC(NH2)2PbI3بر روی لایه ی متخلخل TiO2بود. مشخصه یابی فوتوولتایی سلول، از قبیل بازده تبدیل توان ، ضریب پرشدگی، ولتاژ مدار باز، چگالی جریان مدار کوتاه انجام گرفت و نتایج با یکدیگر مقایسه گردید تا دمای بهینه مشخص شود.
بازنشر اطلاعات | |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |