در این مقاله به‌صورت تحلیلی یک مدل مداری به‌ منظور محاسبه جابجایی بزرگ و تنظیم‌پذیر گوس- هانچن مُدهای TM در یک ساختار مبتنی بر گرافن را بررسی می‌کنیم. در این ساختار تزویج پرتو نور ورودی به امواج سطحی سبب افزایش بسیار زیاد جابجایی گوس- هانچن می‌شود. از طرف دیگر نشان داده ‌شده است که جابجایی جانبی بزرگ را می‌توان از طریق کنترل ویژگی‌های امواج سطحی به‌وسیله اعمال ولتاژ مناسب به گرافن (و تنظیم مشخصات الکترونیکی گرافن) کنترل کرد. برای این منظور ابتدا یک مدل مداری برای ساختار مبتنی بر گرافن پیشنهاد شده و با استفاده از این مدل ضریب بازتاب محاسبه‌شده است. سپس براساس تقریب فاز ایستا، فاز ضریب بازتاب برای محاسبه جابجایی گوس- هانچن بکار رفته است. نتایج ارائه شده نشان می‌دهد که با تزویج بین نور ورودی و امواج سطحی میزان جابجایی گوس- هانچن تا بیش از 100 برابر طول‌موج ورودی به دست می‌آید. علاوه بر آن، این جابجایی بسیار بزرگ با ولتاژ اعمالی کمی در حدود 8 ولت قابل تنظیم است؛ بنابراین این ساختار برای سوئیچ‌های تنظیم‌پذیر با پهنای باند وسیع پیشنهاد می‌شود.