اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 308 کاربر
- تمام بازدیدها: 21798255 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 14041 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



URL: http://opsi.ir/article-1-1132-fa.html
در این مقاله به بررسی ویژگیهای گرافن و تاثیر آن بر یک موجبر تخت پلاسمونی پرداخته شده است. در ابتدا رفتار تابع دیالکتریک گرافن با تغییرات پتانسیل شیمیایی (انرژی فرمی) بررسی شده است، سپس وابستگی ضریب شکست گرافن به پتانسیل شیمیایی نیز مورد بحث قرار گرفته است. در عمل پتانسیل شیمیایی گرافن را میتوان با روشهای مختلفی از جمله با اعمال یک ولتاژ نسبتا کم به گرافن تغییر داد. در واقع با اعمال ولتاژ، جمعیت الکترونی اضافی به گرافن تزریق میشود که باعث میشود سطح تراز فرمی بالا برود و پدیدهای به نام انسداد پاولی باعث تغییر در قسمت موهومی گذردهی الکتریکی یا به طور معادل قسمت موهومی ضریب شکست گرافن میشود. از آنجا که میزان جذب نور با قسمت موهومی ضریب شکست رابطه دارد، میتوان با اعمال یک ولتاژ متغیر با زمان، میزان جذب را در گرافن به صورت دینامیک دستکاری کرد. در پایان هم یک موجبر تخت پلاسمونی شامل یک لایه گرافن طراحی و با استفاده از نرمافزار کامسول شبیهسازی شد که گرافن در معرض پلاسمون پولاریتونهای سطحی قرار داشت و رفتار موجبر با تغییر پتانسیل شیمیایی مورد ارزیابی قرار گرفت. با افزایش پتانسیل شیمیایی در یک بازه خاص، مشاهده شد که توان عبوری موجبر افزایش قابل ملاحظهای یافت.
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |