در این مقاله اثر نانولایه‌های گرافن بر خواص تراگسیل یک بلور فوتونی یک بعدی حاوی نقص با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار گرفته است. نشان داده شده است که دو نوع مد نقص در گاف باندهای ساختار ایجاد می‌شود، نوع اول مد نقص معمولی است که به علت شکست تناوب شبکه دی الکتریک در گاف باند براگ تشکیل می‌شود. نوع دیگر که در گاف باند القایی گرافن قابل مشاهده است ناشی از شکست تناوب شبکه گرافنی است. لذا مد نقص القایی گرافن نامگذاری شده است. هم چنین نتایج بیانگر این است که این مد نقص برخلاف مد نقص معمولی براگ فقط برای لایه‌‌ی نقص عریض ظاهر می‌گردد و از آن جایی که گذردهی نانولایه‌های گرافن از طریق رسانندگی سطحی وابسته به پتانسیل شیمیایی گرافن است، فرکانس مد نقص القایی گرافن از طریق اعمال ولتاژ گیت قابل کنترل می-باشد.