پیشرفت روز افزون تکنولوژی نانو در اپتیک و فوتونیک با استفاده از روش های نوین کنترل نور در وسایل موجبری و نیاز به کوچک سازی وسایل الکترومغناطیسی از قبیل آنتن ها ونیز بهبود انتقال و ذخیره سازی اطلاعات در این ابزار الکترومغناطیسی، محققان را به سمت استفاده از پدیده شفافیت القایی الکترومغناطیسی (EIT) و پدیده های مشابه آن در فرامواد سوق داده است. در این کار ما ساختار فراماده ای را در ابعادnm و ناحیه فرکانسی THz معرفی می کنیم که در آن با شکست تقارن هندسی ساختار، EIT با میزان عبور بالا و Q_فاکتور بیشتر نسبت به ساختارهای دو بعدی قبلی در ناحیه مادون قرمز رخ می دهد، که می تواند انتخاب مناسبی برای کاربردهای نور کند بوده و برای تقویت نور در نانو ساختارها و آشکارسازی مادون قرمز مورد استفاده قرار گیرد. همچنین اثر تغییر جنس فلز در فراماده پیشنهادی، مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات عددی و شبیه سازیها در این کار، با روش FDTD انجام شده است.