اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 550 کاربر
- تمام بازدیدها: 22131354 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 24982 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



URL: http://opsi.ir/article-1-1029-fa.html
مقایسه گاف باند فوتونی تمامسویهی ساختار شبه تناوبی یک بعدی سهگانه تیو-مورس با نتایج مربوط به ساختار تناوبی مشابه نشان میدهد که گاف باند فوتونی در این ساختار دارای گسترهی بزرگتری نسبت به ساختار تناوبی است. بنابراین استفاده از ساختارهای شبه تناوبی سه گانه تیو-مورس به منظور طراحی بازتابندهی تمامسویه پیشنهاد میشود. مطالعات نشان میدهد که پارامترهای ساختاری تأثیر بسزایی در پهنای گاف باند فوتونی تمامسویه دارند از این رو ما پهنای گاف باند فوتونی تمامسویهی ساختار شبه تناوبی سهگانه تیو-مورس را براساس تغییرات ضخامت لایه، با ضریب شکست بالا بررسی میکنیم که این امر ما را قادر به تنظیم گسترهی طول موجی بازتابیِ بازتابندهی تمامسویه خواهد کرد.
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |