نیر پورقربان، فاطمه مسلمی، کاظم جمشیدی قلعه،
سال ۲۶، شماره ۰ - ( ۱۲-۱۳۹۸ )
چکیده
تکلایههای گرافن و مولیبدینییوم دیسولفاید (MoS۲) بهتنهایی به دلیل ضخامت کم جذب ناچیزی دارند. ترکیب این نوع مواد در ساختار بلور فوتونی میتواند سبب افزایش جذب ساختار شود. در این کار، ساختاری از بلور فوتونی با تناوب سهتایی بهشکل (ABG)n CMoS۲C (GBA)m پیشنهاد شده که در آن لایههای A، B و C مواد دیالکتریک،G نشان دهنده لایه گرافن وترکیب CMoS۲C به عنوان لایهی نقص میباشند. طیف جذبی ساختار با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. نتایج نشان میدهند که ساختار فوق در ناحیه طیف مرئی رفتار جذب یکسویه دارد. اثر مکان لایهی نقص، قطبش و راستای میدان تابشی در رفتار جذب یکسویه مطالعه و بهینه شده است. مکان مد جذبی مستقل از نوع قطبش بوده ولی شدت پیک و پهنای آن در قطبش TE بسته به جهت تابش با تغییر زاویه رفتار متفاوت دارد. لازم به ذکر است که وجود لایه گرافن باعث افزایش جذب ساختار میشود.
