۷ نتیجه برای اثر پاکلز
پوریا اسحاقی، محمدآقا بلوری زاده،
سال ۲۳، شماره ۰ - ( ۱۲-۱۳۹۵ )
چکیده
تلفیق‌کننده‌های اپتیکی به دلیل محدودیت پراش قابلیت فشردگی محدودی دارند. از آنجا امروزه تلفیق‌کننده‌های پلاسمونی به دلیل اندازه فوق فشرده و کارکرد زیر حد پراش و پهنای باند بالا و مصرف انرژی پایین مورد توجه قرار گرفته‌اند. در این تحقیق یک تلفیق‌کننده پلاسمونی جذب‌کننده بر پایه اثر پاکلز با ساختار طلا-سیلیکون نیترید-باریم تیتانات-طلا با بستری شیشه‌ای و اثر ضخامت لایه‌ها بر عملکرد تلفیق‌کننده مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین ضخامت بهینه برای لایه‌های دی‌الکتریک تشکیل‌دهنده این تلفیق‌کننده به دست آمده است.
پوریا اسحاقی، ابوالفضل صفایی بزرگ آبادی، محمدآقا بلوری زاده،
سال ۲۵، شماره ۰ - ( ۱۲-۱۳۹۷ )
چکیده
در این مقاله یک مدولاتور الکترو اپتیکی پلاسمونیکی جذبی چند لایه با دو محیط فعال ایندیوم تیناکسید و باریم تیتانات معرفی شده است. در لایه ایندیوم تین اکسید اثر پاشندگی حاملهای آزاد و در لایه باریم تیتانات که دوشکستی بوده اثر پاکلز در نظر گرفته شده است. در اینجا اثر ضخامت لایه‌های فعال بر روی عملکرد مدولاتور مورد بررسی قرار میگیرد. با اعمال ولتاژ به مدولاتور میدان الکتریکی در دو لایه فعال ایجاد می‌گردد و ضرائب شکست لایه‌های فعال تغییر می‌یابند. برای شبیه‌سازی این مدولاتور، معادله پاشندگی بهدست آمده برای ساختار چند لایه پیشنهادی با روش نلدر-مید در طول موج ۵۵/۱ میکرومتر حل شده است. نتایج بهدست آمده نشان میدهند که ساختار ارائه شده قابلیت استفاده بهعنوان مدولاتور الکترو اپتیکی جذبی را دارا می‌باشد.
حسام امیری، سکینه صدیقی بنایی، محمد اسماعیل زیبایی، ندا یاوری،
سال ۲۵، شماره ۰ - ( ۱۲-۱۳۹۷ )
چکیده
حسگر نوری ولتاژ با استفاده از کریستال لیتیوم نایوبیت در دو راستای برش z و انتشار y و همچنین برش x و انتشار z، در بازه دمایی صفر تا ۱۰۰ درجه سانتی‌گراد مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته است. حسگر شبیه سازی شده برپایه اثر پاکلز کریستال لیتیوم نایوبیت با برش x در راستای انتشار z، در مقایسه با راستای برش z و انتشار y، حساسیت دمایی کمتری دارد به طوری که تغییرات دمایی تابع تبدیل خروجی حسگر در این بازه دمایی بسیار ناچیز، خطی و از مرتبه ۴-۱۰ است در صورتی که در راستای برش z و انتشار y، این مقدار به شکل سینوسی با مرتبه ۱ تغییر می‌نماید. بنابراین استفاده از حسگر نوری ولتاژ برپایه اثر پاکلز در کریستال لیتیوم نایوبیت در برش x در راستای انتشار z، تغییرات دمایی معادل ۰,۰۱ درصد خواهد داشت که در مقایسه با نوع برش z و انتشار y، بسیار پایدارتر خواهد بود
حسام امیری، ندا یاوری، محمد اسماعیل زیبایی، بابک امینی،
سال ۲۵، شماره ۰ - ( ۱۲-۱۳۹۷ )
چکیده
در این مقاله روشی کارآمد به منظور پایداری گرمایی حسگر نوری ولتاژ معرفی شده است. در این روش از کریستال لیتیوم نایوبیت در حالت برش x و راستای انتشار z با دو خروجی متعامد استفاده شده است. با بهره گیری از اطلاعات دو سیگنال خروجی حسگر و پیاده سازی الگوریتم محاسباتی جبران سازی، اثر دما و شدت لیزر حذف شده و پارامتر شدت میدان الکتریکی با دقت بالا و خطای میانگین ۳/۱ درصد اندازه گیری شده است. این روش در راستای حل چالش گرمایی در دستگاه ترانسفورماتور نوری اندازهگیری ولتاژ و جریان به روش پیزو-اپتیک که در پژوهشگاه نیرو طراحی و ساخته شده است، با موفقیت پیاده سازی شد که پس از گذراندن موفقیتآمیز آزمون‌های صنعتی و اطمینان از قابلیت بهره‌گیری آن در سیستم‌های اندازهگیری خطوط فشار قوی توزیع، هم اکنون در حال بهرهبرداری می‌باشد.
فهیمه شکرانه، هادی صوفی،
سال ۲۶، شماره ۰ - ( ۱۲-۱۳۹۸ )
چکیده
تیتانات باریوم ماده‌ای فروالکتریک دارای اثر پاکلز بزرگ است و لذا استفاده از این ماده در ساختار مدولاتورهای نوری بسیار نویدبخش است. در این مقاله یک مدولاتور نوری مجتمع بر پایه‌ی تکنولوژی سیلیکون بر روی عایق طراحی و مدل‌سازی شده است. این مدولاتور از موجبرهای شیاری هیبرید پلاسمونی با ریل‌های نقره و سیلیکون و مبدل‌های مد نوری به هیبریدی در ورودی و خروجی ساختار تشکیل شده است. مدولاتور طراحی‌شده "ولتاژ نیم موج×طول" Vmm ۰۲/۰ از خود نشان می‌دهد که در مقایسه با مدولاتورهای ماخ-زندر دیگر(سیلیکونی یا پلاسمونیکی) عدد بسیار پایینی است. همچنین، علاوه بر این پارامتر مهم، طراحی ارائه‌شده در این مقاله اتلاف الحاقی پایینی در حد dB ۳ در بازه‌ی طول‌موجی µm ۶۵/۱ – ۴۵/۱ ارائه می‌دهد.
سیمین شیرین، امیر مدنی، صمد روشن انتظار،
سال ۲۸، شماره ۲ - ( ۱۲-۱۴۰۰ )
چکیده
در این مقاله انتشار امواج الکترومغناطیسی از یک بلور فوتونی یک بعدی حاوی مواد نانوکامپوزیت کایرال‌ساختاری شبه همسانگرد الکترواپتیکی در غیاب و همچنین در حضور میدان الکتریکی با فرکانس پایین بررسی شده است. در غیاب ولتاژ اعمال شده و نانوذرات فلزی، یک گاف باند فوتونی مستقل از قطبش دایروی در طیف عبور ایجاد می‌شود. در حضور ولتاژ اعمال شده، این گاف باند فوتونی به یک گاف باند فوتونی حساس به قطبش دایروی تبدیل می‌شود. همچنین نشان داده شده‌است که ولتاژ اعمال شده باعث افزایش عرض این گاف باند می‌شود. علاوه بر این، ولتاژ اعمال شده می‌تواند یک گاف باند فوتونی جدید را که مستقل از قطبش است، حتی زمانی که چنین گاف باندی در غیاب میدان الکتریکی با فرکانس پایین وجود ندارد، باز کند. همچنین ما اثر نانوذرات فلزی را نیز در طیف عبور این ساختار بررسی کردیم و نشان دادیم که یک گاف باند جدید مستقل از قطبش و ولتاژ در طیف عبور ساختار خلق می‌شود که ناشی از تحریک پلاسمون‌های سطحی بوده و موقعیت آن وابسته به جنس نانوذرات جابجا می‌شود.
میلاد زرعی، هادی صوفی،
سال ۲۸، شماره ۲ - ( ۱۲-۱۴۰۰ )
چکیده
سوئیچ کوپلر هم راستا الکترواپتیک با موجبر هیبریدی پلاسمونیک بر مبنای باریم تیتانات را طراحی و مدل سازی شده است. باور داریم که با استفاده از باریم تیتانات به جای لیتیوم نیوبات به ولتاژ سوئیچینگ کامل کمتر و با گذر از ساختار پلاسمونیک به هیبریدی پلاسمونیک به تلفات انتشاری کمتر دستیابی ممکن است. نتایج بدست آمده از مدل سازی های الکترواستاتیک با کامسول و نوری با لومریکال FDTD نشان می دهد که تلفات انتشاری برابر ۰,۰۸۴dB/μm و طول کوپلینگ ۷.۱μm با درصد کوپلینگ ۷۵% است.
همایش
