پتانسیل برهم‌کنش وان‌دروالس دو اتم حالت پایه در یک محیط مغناطوالکتریک که پیش‌تر با به‌کارگیری اختلال مرتبه چهارم محاسبه شده است، در این مقاله، با معرفی یک هامیلتونی برهم‌کنش موثر که مبتنی بر نظریه پاسخ خطی است، با اختلال مرتبه دوم محاسبه می‌شود. کاهش دو مرتبه از محاسبات اختلالی باعث کاهش قابل ملاحظه از حجم و پیچیدگی محاسبه پتانسیل می‌شود و می‌تواند، به عنوان مثال، برای محاسبه پتانسیل وان‌در والس بین مولکول‌های دست‌سان، که در مقایسه با مولکول‌های نادست‌سان پیچیدگی‌های بیشتری دارد، مفید باشد.