[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران ::
ICOP & ICPET سال22 صفحات 48-51 برگشت به فهرست نسخه ها
بررسی تونل زنی الکترون دیراک از پتانسیل خطی یک بعدی در پیوندگاهp-n گرافنی
سیدمهدی ستاری اسفهلان* 1، جواد فولادی، سعید شجاعی
چکیده:   (1325 مشاهده)

در این تحقیق، با استفاده از رهیافت ماتریس انتقال برای بررسی ترابرد الکترون دیراک از پتانسیل خطی یک بعدی در پیوندگاه p-n گرافنی، به بررسی مشخصات طول پیوند و اندازه بایاس، به تاثیر آن روی ویژگی های رسانندگی پیوند p-n گرافنی می پردازیم. در رژیم کلین تاثیرات طول پیوند در رسانندگی به شدت چشمگیر است. این در حالی است که، خارج از رژیم تونل زنی کلین این وابستگی کاهش می یابد. به طوریکه با افزایش انرژی فرمی، رسانندگی به طور آرام با افزایش طول کاهش می یابد .

واژه‌های کلیدی: پیوند p-n گرافنی، رسانندگی، ماتریس انتقال .
متن کامل [PDF 713 kb]   (407 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
ارسال پیام به نویسنده مسئول

ارسال نظر درباره این مقاله
نام کاربری یا پست الکترونیک شما:

CAPTCHA code


XML   English Abstract   Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Sattari Esfahlan S M, fouladi J, shojaei S. Investigation of Dirac Fermions Tunneling Through Linear 1D Potential in Graphene p-n Junction . ICOP & ICPET. 2016; 22 :48-51
URL: http://opsi.ir/article-1-912-fa.html

ستاری اسفهلان سیدمهدی، فولادی جواد، شجاعی سعید. بررسی تونل زنی الکترون دیراک از پتانسیل خطی یک بعدی در پیوندگاهp-n گرافنی . کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران. 1394; 22 () :48-51

URL: http://opsi.ir/article-1-912-fa.html



جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران برگشت به فهرست نسخه ها
انجمن اپتیک و فوتونیک ایران Optics and Photonics Society of Iran
Persian site map - English site map - Created in 0.05 seconds with 30 queries by YEKTAWEB 3768