چکیده – وابستگی خواص الکترونی و اپتیکی سلنید روی به فشار بوسیله نظریه تابعی چگالی و توسط روش موج تخت بهبود یافته خطی مطالعه شده است. با استفاده از تابعی PBESOL، قسمتهای حقیقی و موهومی تابع شکست، تابع دی الکتریک، تابع رسانندگی اپتیکی و ضریب شکست محاسبه شده اند. نتایج بدست آمده نشان میدهد که گاف انرژی ZnSe با افزایش فشار افزایش می یابد. تغییرات گاف انرژی، به خصوص در فشارهای بالا، غیر خطی است. تمام خصوصیات اپتیکی در فشار های مختلف تا 14 گیگاپاسکال محاسبه و با یکدیگر مقایسه شده اند.

واژه‌های کلیدی: نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونیکی، خواص اپتیکی، فشار

متن کامل [PDF 733 kb]   (1087 دریافت)