جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 388-385 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


چکیده:   (4840 مشاهده)
در این مقاله اثر جابجایی پتانسیل شیمیایی بر خواص نوری گرافن در دمای 300 K بررسی شده است که برای این کار رابطه پتانسیل شیمیایی و چگالی الکترونی بر واحد سطح را بدست آورده ایم سپس اثر تزریق الکترون توسط گیت یک ترانزیستور نوری را بر پتانسیل شیمیایی بررسی و اثر آن را بر خواص نوری گرافن تحقیق نموده ایم و در پایان اثر دما بر پتانسیل شیمیایی را مطالعه کردیم. نتایج نشان داد تغییر دما از 0 K به 300 K تغییری برابر 3 mev در 0 V در پتانسیل شیمیایی بوجود آورد.
متن کامل [PDF 516 kb]   (5351 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.