جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال26 صفحات 588-585 |
برگشت به فهرست نسخه ها
لیلا برغمدی* 
1، شهاب نوروزیان علم1 ، سید حسن صدیقی1 ، بیژن غفاری1
1، شهاب نوروزیان علم1 ، سید حسن صدیقی1 ، بیژن غفاری1
1- دانشگاه علم و صنعت ایران
چکیده: (1538 مشاهده)
آشکارساز نوری فرابنفش MSM بر پایه لایه همبافته GaN نوع n ساخته شده است. تاثیر تابش گاما از منبع Co60 با نرخ تابش بسیار کم rad(Si)/s0001/0 در دمای اتاق بر جریان الکتریکی آشکارساز مورد بررسی قرارگرفته است. برخلاف مشاهدات قبلی، افزایش و سپس کاهش تدریجی جریان تاریک با افزایش دز تابش گاما بهوضوح مشاهده شد. با بهکار گیری سازوکار انتقال حاملها در حالتهای جایگزیده، تولید حاملها توسط تابش و سپس به دام افتادن آنها در نقصهای شبکه، یک توضیح پیشنهادی برای رفتار نمودار مشخصه ولتاژ-جریان آشکارساز ارائه گردید. نتایج حاصله برای درک چگونگی برهمکنش فوتونهای گاما با لایه همبافته n-GaN بسیار مهم است.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |