جلد 26 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و ششمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال26 صفحات 452-449 |
برگشت به فهرست نسخه ها
علی نصیری*1 
، آزیتا زندی گوهرریزی1 ، حسن صفری1 ، قاسم اله یاری زاده2
، آزیتا زندی گوهرریزی1 ، حسن صفری1 ، قاسم اله یاری زاده2
1- دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان
2- دانشگاه شهید بهشتی
2- دانشگاه شهید بهشتی
چکیده: (1901 مشاهده)
در این مقاله جهت بررسی تأثیر لایه مسدودکننده الکترون (EBL) AlGaN بر مشخصه‌های سلول‌های خورشیدی چاه کوانتومی چندگانه InGaN/GaN، ابتدا این ساختار بدون لایه EBL با استفاده از نرم‌افزار سیلواکو-اطلس شبیه‌سازی شد و مقدار بازده 80/27 درصد به‌دست آمد. سپس با افزودن لایه مسدودکننده الکترون p-Al0.1Ga0.9N با ضخامت nm20 به ازای مقدار ناخالصی‌های مختلف، مشخصه‌های سلول مورد بررسی قرار گرفت و مقدار بهینه برای بازده، 05/40 درصد به ازای مقدار ناخالصی 3-cm 1019×2 به‌دست آمد. نتایج شبیه‌سازی نشان داد که افزودن لایه مسدودکننده الکترون p-AlGaN به ساختار سلول، انحراف باند رسانش را افزایش می‌دهد. این امر شارش الکترون‌ها به ناحیه p را مسدود خواهد کرد و درنتیجه به علت کاهش بازترکیب و بهبود جمع‌آوری حفره‌ها، بازده سلول خورشیدی افزایش خواهد یافت.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |