در این مقاله تأثیر پارامتر چرپ در تحول پالس در نانوسیمهای سیلیکونی با پاشندگی مهندسی شده از طریق حل معادله غیرخطی شرودینگر با استفاده از نرم افزار متلب به روش فوریه گام مجزا بررسی میشود. با در نظر گرفتن پالس ورودی سکانتهایپربولیک از مرتبه فمتوثانیه و نیز لحاظ کردن اثرات غیرخطی و ضریب پاشندگی مرتبه دوم و سوم بصورت تابعی از طول، تأثیر پارامتر چرپ در انتشار پالس در طول نانوسیم، مورد مطالعه قرار میگیرد. نتایج نشان میدهد که مقدار و علامت چرپ تاثیر بسزایی در تحول پالس و بخصوص پهن شدگی آن در طول نانوسیم دارد بطوریکه میتوان با افزودن چرپ مثبت به پالس ورودی پهنشدگی را کاهش داد. لذا میتوان با انتخاب مناسب پارامترهای پالس، به گونهای انتشار پالس را کنترل کرد که کمترین پهنشدگی حین انتشار ایجاد شود.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |