Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences
مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS
Basic Sciences
http://opsi.ir
1
admin
1126-3278
10
8
7
14
8888
13
fa
jalali
1399
7
1
gregorian
2020
10
1
27
1
online
1
fulltext
fa
بررسی اثر چگالی تله های سطحی بر عملکرد سلول های خورشیدی پروسکایتی بر پایه MAPbI3
Influence of interface trap concentration on the performance of MAPbI3 Perovskite solar cells
تخصصی
Special
پژوهشي
Research
<a name="_Hlk48935084"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">روند رشد بازده</span></span></a> <span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">سلول های خورشیدی پروسکایتی در مقایسه با سایر سلولهای خورشیدی خیرکننده بوده است. به علت ماهیت جدید و متفاوت مواد پروسکایت، شناخت دقیق مشخصه های این نوع مواد نیاز به پژوهش های گسترده تجربی و نظری است. </span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">به خاطر ساختارهای لایه ای این نوع سلول های خورشیدی، بررسی دقیق اثرات بازترکیب سطحی و تله ها برای بهینه سازی بسیار مورد توجه می باشد. در این مقاله با استفاده از حل خودسازگار معادلات پیوستگی جریان و پواسون و با در نظر گرفتن تولید و بازترکیب حاملین بار، اثرات چگالی نقص های سطحی در پیوندگاه </span></span><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">MAPbI<sub>3</sub>/spiro-OMeTAD</span></span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;"> بر عملکرد سلول های خورشیدی پروسکایتی مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که با افزایش چگالی نقص های سطحی، بازترکیب حاملین در این ناحیه افزایش می یابد که باعث کاهش چگالی حاملین بار شده و در نتیجه جریان کاهش می یابد. نتایج به دست آمده نشان می دهد با افزایش چگالی نقص های سطحی تا میزان </span></span><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;"> cm<sup>-3</sup></span></span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">10<sup>13</sup> کاهش محسوسی در بازده مشاهده نمی شود ولی با افزایش تدریجی آن، بازده به شدت کاهش می یابد که به خاطر بازترکیب حاملین در نزدیکی لایه رسانای حفره و کاتد می باشد. علاوه بر این، به خاطر بازترکیب حاملین در این نقص ها، جریان و ولتاژ نیز کاهش می یابد. </span></span><br>
<span dir="LTR"><span style="font-size:12.0pt;"></span></span>
In this paper, we have performed a numerical simulation study to investigate the effects of interface trap concentration on device behavior. For this purpose, we chose interface trap density from 10<sup>11</sup> to 10<sup>15</sup> cm<sup>-3</sup> in MAPbI<sub>3</sub>/spiro<span dir="RTL">-</span>OMeTAD interface layer. Based on our results, when the interface defects density is below the 10<sup>13</sup> cm<sup>-3</sup>, cell efficiency dropped about 2%<span dir="RTL">, </span>where <em>J<sub>sc</sub></em> is constant and <em>V<sub>oc</sub></em> decreases linearly. By increasing the interface effect density from 10<sup>13</sup> cm<sup>-3 </sup>to 10<sup>15</sup> cm<sup>-3</sup>, the cell efficiency falls down dramatically from 23% to about 6%. Simulation results showed that by increasing the interface traps density, <em>J<sub>sc</sub></em> and <em>V<sub>oc</sub></em> decrease 65% and 20%, respectively, where cell efficiency decreases significantly more than 75%, which concludes that the main loses of charge carriers occurs in interface layers. Quantum efficiency results show considerably decreasing when trap density is above 10<sup>13</sup> cm<sup>-3</sup>.<br>
سلول های خورشیدی پروسکایتی؛ بازده؛ چگالی بار سطحی
Perovskite solar cells, Efficiency, interface trap concentration
88
90
http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2241&slc_lang=fa&sid=1
Ladan
Khatapoosh
لادن
خطاپوش
10031947532846009213
10031947532846009213
Yes
Research Institute for Applied Physics and Astronomy, University of Tabriz, Tabriz, Iran
پژوهشکدهی فیزیک کاربردی و ستارهشناسی، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران
Nesa
Majidzadeh
نساء
مجیدزاده
10031947532846009214
10031947532846009214
No
Research Institute for Applied Physics and Astronomy, University of Tabriz, Tabriz, Iran
پژوهشکدهی فیزیک کاربردی و ستارهشناسی، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران
Saeid
Asgharizadeh
سعید
اصغری زاده
10031947532846009215
10031947532846009215
No
Research Institute for Applied Physics and Astronomy, University of Tabriz, Tabriz, Iran
پژوهشکدهی فیزیک کاربردی و ستارهشناسی، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران