RT - Journal Article T1 - Study on the effect of Co density on optical properties of semiconductor Cu2Zn1-xCoxSnS4 nanocrystals JF - opsi YR - 2016 JO - opsi VO - 22 IS - 0 UR - http://opsi.ir/article-1-945-fa.html SP - 778 EP - 781 K1 - Solvothermal K1 - Semiconductor K1 - Cu2CoSnS4 K1 - Microstructure AB - ذرات نیمه هادی مغناطیسی (گل مانند)( Cu2Zn1-xCoxSnS4 (CZCTS) ، با اندازه میکرومتر و ساختار stannite با موفقیت از روش ارزان قیمت سولو ترمال تهیه شده اند. گاف نواری اپتیکی ذرات CZCTS تقریبا بین 1.5 تا 1.23 الکترون ولت اندازه گیری شده اند که با افزاش مقدار شرکت Co در نمونه کاهش یافته است. این مقدار گاف انرژی بسیار نزدیک به مقدار بهینه برای سلول های خورشیدی فوتو ولتائیک می باشد. طیف رامان برای فاز تتراگونال، قله اصلی 309 cm-1 و 334 cm-1 را نشان می دهد. LA eng UL http://opsi.ir/article-1-945-fa.html M3 ER -