حمایت از انجمن


برای حمایت لطفا روی بخش پایین کلیک کنید.
 
حمایت مالی از انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 8-5 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

A Novel Design Of InGaP/GaAs/Si Solar Cells with High Quantum Efficiency Based on Nanostructures. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2015; 21 :5-8
URL: http://opsi.ir/article-1-451-fa.html
فرمانی علی، شیخی محمد حسین، دهقانی سجاد. طراحی جدید سلول خورشیدی InGaP/GaAs/Si با بازدۀ کوانتومی بالا بر پایه نانوساختار. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1393; 21 () :5-8

URL: http://opsi.ir/article-1-451-fa.html


1- دانشگاه شیراز
چکیده:   (4685 مشاهده)
در این مقاله یک سلول خورشیدی نانوساختار InGaP/GaAs/Si معرفی می گردد. برای افزایش بازدۀ کوانتومی سلول خورشیدی پیشنهادی، از تکنیک های کاهش تلفات ناشی از بازترکیب های غیرتشعشعی و افزایش ضریب جذب استفاده شده است. نتایج شبیه سازی ساختار طراحی شده نشان می دهد، که با در نظرگرفتن تطبیق شبکه بین لایه ها علاوه بر رسیدن به بازدۀ کوانتومی بالا، قسمت بیشتری از طیف نور خورشید را جذب می کند. سلول خورشیدی در نرم افزار سیلواکو ورژن 3.20.2 شبیه سازی و بازدۀ کوانتومی به 65% رسیده است.
متن کامل [PDF 206 kb]   (1541 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb