جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 780-777 |
برگشت به فهرست نسخه ها
میثم شیری* 
1، امیر مدنی1 ، صمد روشن انتظار2
1، امیر مدنی1 ، صمد روشن انتظار2
1- دانشگاه بناب
2- دانشگاه تبریز
2- دانشگاه تبریز
چکیده: (1689 مشاهده)
دراین مقاله ساختار باند و خواص تراگسیل شبه بلور فوتونی یک بعدی حاوی تک لایه های MoS2 با آرایش شبه تناوبی برای مرتبه های مختلف سری فیبوناچی مورد مطالعه قرار گرفته است. ابتدا به معرفی سری فیبوناچی و نحوه آرایش لایه های دی الکتریک و نانو لایه های MoS2 پرداخته شده است. در ادامه طیف تراگسیل ساختار با استفاده از روش ماتریس انتقال برای مرتبه های 3، 4 و 5 سری فیبوناچی برای دو قطبش TE و TM مورد بررسی قرار گرفته است. در پایان ساختار باند و گاف فوتونی برای مرتبه های اشاره شده در ناحیه مرئی و فرا بنفش نزدیک بررسی شده است که حضور MoS2 باعث ایجاد گاف شده است و همچنین با افزایش مرتبه سری فیبوناچی انتقال گاف به فرکانس های بالاتر رخ می دهد.
واژه‌های کلیدی: ساختار باند گاف، طیف تراگسیل، رشته فیبوناچی، بلور فوتونی یک بعدی، مولیبدن دی سولفاید(MoS2)
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |