برقراری ارتباط
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 88-85 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Abbasi S P, Varzkari H, Mahdieh M H. Laser Diode Electro-optics Characteristics Improvement by Graded Index Refractive Index Profile Broadened Waveguide. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :85-88
URL: http://opsi.ir/article-1-1583-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1583-fa.html
عباسی سید پیمان، ورزکاری حامد، مهدیه محمد حسین. استفاده از موجبر پهن با پروفایل ضریب شکست با تغییرات تدریجی برای بهبود مشخصات الکترواپتیکی لیزر دیود . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :85-88
استفاده از موجبر پهن با پروفایل ضریب شکست با تغییرات تدریجی برای بهبود مشخصات الکترواپتیکی لیزر دیود
1- دانشگاه علم و صنعت ایران
چکیده: (2015 مشاهده)
ضخامت لایه و پروفایل ضریب شکست موجبر لیزر نیم‌رسانا تعیین کننده مشخصات الکترواپتیکی در لیزرهای نیم‌رسانا است. در این مقاله نشان داده شده است که با بکارگیری موجبری با ضریب شکست با تغییرات تدریجی و افزایش ضخامت لایه‌ی موجبر به جای ساختار پله‌ای متداول می‌توان مشخصات الکترواپتیکی همچون واگرایی در محور تند و جریان آستانه را بدون کاهش بازدهی بهبود بخشید. همچنین با اضافه کردن مقدار ناخالصی مناسب در لایه موجبر بخش n ، بدون اضافه شدن موثر اتلاف حاملهای آزاد، می توان از کاهش مشخصه ضریب بازده توان به جریان جلوگیری کرد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
