حمایت از انجمن


برای حمایت لطفا روی بخش پایین کلیک کنید.
 
حمایت مالی از انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 812-809 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Yeganegi Z, Mardekatani Asl F, Abdollahi-Nejand B, Moravvej-Farshi M K. The effect of bromine on the mixed halide perovskite . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :809-812
URL: http://opsi.ir/article-1-1568-fa.html
یگانگی زهرا، مرده کتانی اصل فرزاد، عبدالهی نژند بهرام، مروج فرشی محمد کاظم. تاثیر برم بر روی پروسکایت ترکیب هالوژنی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :809-812

URL: http://opsi.ir/article-1-1568-fa.html


1- دانشگاه تربت مدرس
چکیده:   (2025 مشاهده)
سلول خورشیدی پروسکایتی ترکیب هالوژنی با روش لایه نشانی دو مرحلهای پروسکایت معرفی می‌شود. سرب و ید از پیش ماده سرب یدید و برم از پیش ماده متیل آمونیوم برماید تهیه می‌شود. تاثیر برم روی ولتاژ مدار باز و گاف انرژی سلول خورشیدی نشان داده می‌شود. افزودن برم به پروسکایت یدی باعث بهبود مورفولوژی سطح و پهن‌تر شدن گاف انرژی پروسکایت و در نتیجه افزایش ولتاژ مدار باز سلول خورشیدی حاصل می‌شود. اما، بروم با متخلخل کردن ساختار پروسکایت، باعث کاهش جریان اتصال کوتاه سلول می‌شود. آنالیزجذب فرابنفش-مرئی نشان می‌دهد این ساختار پروسکایت دو گاف انرژی دارد. به عبارت دیگر پروسکایت حاصل دوفازی است.
متن کامل [PDF 599 kb]   (537 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb