برقراری ارتباط
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 68-65 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Kouhestanian R, Hamidi S M, Yazdanpanah Goharrizi A. Hybrid Plasmonic Electro-Absorption Al/P-Si compatible with CMOS. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :65-68
URL: http://opsi.ir/article-1-1462-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1462-fa.html
کوهستانیان رضا، حمیدی سیده مهری، یزدان پناه گوهرریزی آرش. مدلاتور پلاسمونیکی ترکیبی الکتروجذبی Al/p-Si سازگار با CMOS . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :65-68
1- پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی
2- دانشگاه شهید بهشتی
2- دانشگاه شهید بهشتی
چکیده: (2512 مشاهده)
هدف این تحقیق طراحی مدولاتور مینیاتوری پلاسمونیکی ترکیبیAl/P-Si سازگار با CMOS با کاهش توان مصرفی در طول موج 1550 نانومتر است. بر این اساس، مدولاتور n-p-n با افزایش ناخالصی نیمه هادی سیلکن و به کمک روش تفاضل محدود در حوزه زمان، با ابعاد یک میکرومتر شبیه سازی شده است. با افزایش ناخالصی نیمه هادی سیلکون و با استفاده از خواص فلزی ایجاد شده در آن، مدهای پلاسمونیکی پشتیبانی شده و عملیات مدولاسیون صورت میپذیرد. نتایج حاصل از شبیه سازی بیانگر ضریب خاموشی74/7 دسی بل و تلفات الحاقی 42/2 دسی بل و ولتاژ کاری بین صفر تا 3/2 ولت است که می تواند در راستای طراحی مدولاتورهای کم توان و مینیاتوری مفید باشد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
