جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 896-893 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print

مقایسه مشخصه خروجی و بازدهی سلول‌های خورشیدی تک پیوندی و دوپیوندی بهینه‌شده مبتنی بر GaAs-InGaP
سیده شهرزاد سجادیه* 1، نسرین دخت باطنی پور2
1- دانشگاه آزاد اسلامی، واحد دماوند
2- دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران شمال
چکیده:   (2275 مشاهده)
در این مقاله با حل همزمان معادلات پواسون، پیوستگی و انتقال حامل‌ها،سلول­های خورشیدی تک پیوندی GaAs و InGaP وسلول دو پیوندی GaAs-InGaP را شبیه­سازی و با یکدیگر مقایسه کردیم. با مقایسه پاسخ طیفی سلول­های خورشیدی نشان دادیم سلول­های خورشیدی GaAs و InGaP به ترتیب امواج کمتر از 873 نانومتر و 659 نانومتر را جذب می­کنند. درحالیکه سلول دوپیوندی متشکل از این دو زیرسلول طیف وسیعی از امواج که حاصل همپوشانی این دو طیف است را جذب می­کند. این امر راندمان سلول دوپیوندی را افزایش می­دهد. بر اساس نتایج شبیه­سازی راندمان سلول­های GaAs و InGaP به ترتیب 83/23 و 32/13 درصد است، درحالیکه با بهینه سازی ساختار سلول GaAs-InGaP راندمان 58/30 درصد حاصل گردید. علاوه بر آن مشخصه I-V سلول­ها نشان داد ولتاژ مدار باز برای سلول GaAs حدود 1 ولت و برای سلول InGaP به دلیل داشتن شکاف باند بیشتر، حدود 4/1 ولت است. ولتاژ مدار باز برای سلول دوپیوندی تقریبا برابر با حاصل جمع مقادیر مربوط به سلول­های تک پیوندی است که با طراحی مناسب آن­را افزایش دادیم. با طراحی مناسب سلول دوپیوندی جریان اتصال کوتاه نیز بهبود یافت. 
واژه‌های کلیدی: سلول خورشیدی دوپیوندی، GaAs-InGaP، پاسخ طیفی، بازده تبدیل
متن کامل [PDF 681 kb]   (1357 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی
بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.