حمایت از انجمن


برای حمایت لطفا روی بخش پایین کلیک کنید.
 
حمایت مالی از انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 656-653 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

babaabasi G, mir A, Yavari M. Analysis of Effect of Number of Quantum Dot Layers on Static Characteristics InAs/InP Quantum Dot Laser. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2015; 21 :653-656
URL: http://opsi.ir/article-1-761-fa.html
باباعباسی غلامرضا، میر علی، یاوری محمد حسن. تحلیل اثر تعداد لایه‌های نقطه کوانتومی بر مشخصه‌های استاتیکی لیزرهای نقطه کوانتومی InAs/InP. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1393; 21 () :653-656

URL: http://opsi.ir/article-1-761-fa.html


چکیده:   (3879 مشاهده)
در این تحقیق رفتار لیزرهای نقطه کوانتومی خودآرای InAs/InP در طول موج 55/1 میکرومتر با در نظر گرفتن حالت پایه و برانگیخته و لحاظ کردن اثرات پهن شدگی همگن و غیر همگن بهره با استفاده از حل معادله نرخ لیزر مدل‌سازی می‌شود. شبیه‌سازی‌ها نشان می‌دهد با افزایش جریان تزریقی وقتی کانال واهلش مستقیم از تراز وتینگ به تراز پایه در نظر گرفته می‌شود، اثر اشباع حالت پایه دیده نمی‌شود، همچنین لیزردهی حالت برانگیخته در طول موج 42/1 میکرو متر ظاهر می‌شود. علاوه بر این، افزایش تعداد لایه‌های نقطه کوانتومی باعث افزایش کارایی کوانتومی شده، ولی متاسفانه افزایش جریان آستانه را در پی دارد.
متن کامل [PDF 324 kb]   (2170 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb