برقراری ارتباط
جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 504-501 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Sarabandi M, Golshani M, Zamani M. Effect of random thickness on Anderson localization in magnetophotonic crystals. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2019; 25 :501-504
URL: http://opsi.ir/article-1-1849-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1849-fa.html
سرابندی مهرناز، گلشنی مجتبی، زمانی مهدی. تأثیر بینظمی در ضخامت لایه بر طول جایگزیدگی اندرسون در بلورهای فوتونی مغناطیسی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1397; 25 () :501-504
مهرناز سرابندی* 
1، مجتبی گلشنی1 ، مهدی زمانی1
1، مجتبی گلشنی1 ، مهدی زمانی1
1- دانشگاه شهید باهنر کرمان
چکیده: (1591 مشاهده)
در این مقاله جایگزیدگی اندرسون در ساختارهای بلور فوتونی مغناطیسی با ضخامت لایههای تصادفی به صورت عددی برای طول موجی واقع در میانهی گاف فوتونی (1550 نانومتر) بررسی شده است. طول جایگزیدگی اندرسون برای مقادیر مختلف بینظمی مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج نشان میدهند که طول جایگزیدگی به عنوان تابعی از پارامتر چرخش مگنتو اپتیکی برای قطبشهای دایروی راستگرد و چپگرد متفاوت بوده و به ترتیب به صورت خطی افزایش و کاهش مییابند. همچنین، با افزایش بینظمی طول جایگزیدگی نیز افزایش مییابد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
