برقراری ارتباط
جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 176-173 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Shoorian S, Jafari H, Feghhi S A. Investigating and Calculating of Silicon Displacement defect due to irradiation on Photodiodes Using Carrier Lifetime Changes . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2019; 25 :173-176
URL: http://opsi.ir/article-1-1781-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1781-fa.html
شوریان سارا، جعفری حمید، فقهی سید امیرحسین. بررسی و محاسبه اثر نقص جابجایی اتم های سیلیکونی ناشی از تابش بر روی قطعات فوتودیودی با استفاده از تغییرات طول عمر حامل‌ها. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1397; 25 () :173-176
سارا شوریان* 
1، حمید جعفری1 ، سید امیرحسین فقهی1
1، حمید جعفری1 ، سید امیرحسین فقهی1
1- دانشگاه شهید بهشتی
چکیده: (1900 مشاهده)
فوتودیودها بعنوان ساختار پایه بسیاری از قطعات مورد استفاده در ارتباطات نوری ممکن است تحت تابش یونیزان قرار گیرند. در این کار تاثیر PKAهایی با انرژیهای مختلف( eV 50، eV 100 و eV 200، eV 500 و eV 1000 ) بر ساختار سیلیکونی یک فوتودیود بررسی شده است. تاثیرات میکروسکوپی PKA ها بر ساختار سیلیکونی که با عث ایجاد نقص های فرنکل و ایجاد سطوح جدید انرژی در باند ممنوعه این نیمههادی می شود، توسط نرم افزار دینامیک مولکولی LAMMPS بررسی شده است. تغییرات ماکروسکوپی این قطعه که ناشی از گیراندازی حاملهای بار در تلههای بوجود آمده می باشد، منجر به کاهش جریان کاتد و به دنبال آن بهره کوانتومی فوتودیود می شود که توسط نرم افزار SILVACO شبیه سازی و محاسبه شده است. بنابراین با توجه به تاثیرگذاری بر ضریب اطمینان دادههای حاصل شده از این قطعات، می بایستی این افت ناشی از تابش در هنگام طراحی مدارات و همچنین تحلیل نتایج در نظر گرفته شود
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
