حمایت از انجمن


برای حمایت لطفا روی بخش پایین کلیک کنید.
 
حمایت مالی از انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 204-201 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Kalhor B, Kalhor D, Souri D. The Effect of Doping Concentration on the Output Optical Power of InGaN/GaN- Based Single Quantum-Well Light Emitting Diode . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :201-204
URL: http://opsi.ir/article-1-1622-fa.html
کلهر بهروز، کلهر داود، سوری داریوش. تاثیر چگالی آلایش بر توان نور خروجی از دیود نورگسیل تک چاه کوانتومی بر پایه InGaN/GaN. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :201-204

URL: http://opsi.ir/article-1-1622-fa.html


1- دانشگاه ملایر
2- دانشگاه دامغان
چکیده:   (2006 مشاهده)
 مهمترین مزیت استفاده از ساختار چاه های کوانتومی در دیود های نورگسیل، افزایش باز ترکیب سطحی حاملهای بار الکتریکی و به دنبال آن ارتقاء توان نور خروجی می باشد. یکی از عوامل موثر در میزان توان نور خروجی این دیودهای نورگسیل چگالی آلایش است. در این مطالعه، یک دیود نورگسیل تک چاه کوانتومی بر پایه InGaN/GaN  با استفاده از نرم افزار سیلواکو (اتلس) شبیه سازی و تاثیر چگالی آلایش به ازای ولتاژ ثابت آند بر روی عملکرد آن بررسی شده است. به ازای مقادیر مختلف چگالی آلایش، مشخصه های LED‌ بدست آمده است. با افزایش چگالی آلایش، مقدار توان نور خروجی شروع به افزایش کرده و به حالت بهینه می رسد.
 
متن کامل [PDF 848 kb]   (619 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb