برقراری ارتباط
جلد 24 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال24 صفحات 204-201 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Kalhor B, Kalhor D, Souri D. The Effect of Doping Concentration on the Output Optical Power of InGaN/GaN- Based Single Quantum-Well Light Emitting Diode . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2018; 24 :201-204
URL: http://opsi.ir/article-1-1622-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1622-fa.html
کلهر بهروز، کلهر داود، سوری داریوش. تاثیر چگالی آلایش بر توان نور خروجی از دیود نورگسیل تک چاه کوانتومی بر پایه InGaN/GaN. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1396; 24 () :201-204
بهروز کلهر* 1، داود کلهر2 ، داریوش سوری1
1- دانشگاه ملایر
2- دانشگاه دامغان
2- دانشگاه دامغان
چکیده: (2006 مشاهده)
مهمترین مزیت استفاده از ساختار چاه های کوانتومی در دیود های نورگسیل، افزایش باز ترکیب سطحی حاملهای بار الکتریکی و به دنبال آن ارتقاء توان نور خروجی می باشد. یکی از عوامل موثر در میزان توان نور خروجی این دیودهای نورگسیل چگالی آلایش است. در این مطالعه، یک دیود نورگسیل تک چاه کوانتومی بر پایه InGaN/GaN با استفاده از نرم افزار سیلواکو (اتلس) شبیه سازی و تاثیر چگالی آلایش به ازای ولتاژ ثابت آند بر روی عملکرد آن بررسی شده است. به ازای مقادیر مختلف چگالی آلایش، مشخصه های LED بدست آمده است. با افزایش چگالی آلایش، مقدار توان نور خروجی شروع به افزایش کرده و به حالت بهینه می رسد.
بازنشر اطلاعات | |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |