fa سونش تر ویفر گالیم آرسناید در محلول فسفریک اسید، هیدروژن پراکساید و متانول تخصصی Special پژوهشي Research سونش شیمیایی تر یکی از پرکاربردترین روشهای سونش در صنعت ساخت ادوات اپتوالکترونیکی مانند لیزر نیمه‌هادی است که توسط محلولهای شیمیایی انجام می‌شود. در این پژوهش ویفر گالیم آرسناید جهت ساخت لیزر نیمه‌هادی توسط محلول سونشی متشکل از اسید فسفریک، پراکساید هیدروژن و متانول به روش غوطه‌وری و در دمای 0 تا 4 درجه سلسیوس مورد سونش قرار گرفت که نتیجه آن پس از بررسی با دستگاه پروفایلر سطح یک سونش غیر همسانگرد با مقطع عرضی U شکل و عمق 4600 آنگستروم بود. همچنین صافی سطح برابر 17/4 آنگستروم را ایجاد نمود که مناسب و قابل قبول بوده است. همچنین کنترل فرآیند سونش بعلت استفاده از متانول در دمای پایین بسیار آسان وکنترل پذیر است. Wet chemical etching is one of the extensively process in the fabrication of optoelectronic devices such as semiconductor lasers. In this paper the GaAs wafer etched in phosphoric acid/ hydrogen peroxide/ methanol solution at 0-4°C by dipping. The results of this experiment were studied by Dek Tak surface profile meter that shows U anisotropic etching, depth 4600 A°, roughness about 17.4 A°. Presence of methanol in the etchant results in easy and controllable etching process. سونش تر, ویفرگالیم آرسناید , پراکساید هیدروژن, لیزر نیمه‌هادی. Wet etching, GaAs wafer, Hydrogen peroxide, Semiconductor laser. 1545 1548 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-69&slc_lang=fa&sid=1 Ali Parnia baran علی پرنیاباران a.parniabaran@googlemail.com 10031947532846002540 10031947532846002540 Yes Iranian National Center for laser science and technology مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران S. Peyman Abbasi سید پیمان عباسی pabbasi2001@gmail.com 10031947532846002541 10031947532846002541 No Iranian National Center for laser science and technology مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران Behrang Sabrlouy بهرنگ صبرلوی behrangsabrlouie@gmail.com 10031947532846002542 10031947532846002542 No Iranian National Center for laser science and technology مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران