fa طراحی و شبیه سازی سلول های خورشیدی نانو سیم بر مبنای InP تخصصی Special پژوهشي Research – در این مقاله عوامل موثر بر بازده، جریان اتصال کوتاه و ولتاژمدار باز در سلول های خورشیدی نانو سیم مبتنی بر InP ساختارهای شعاعی و محوری و آرایه از سلول های خورشیدی مبتنی بر InP ساختار شعاعی بررسی و شبیه سازی شده است. نتایج کلی از مطالعات بیانگر آنست که افزایش طول و شعاع به همراه ساختار مناسب p-i-n با ضخامت و ناحیه ذاتی مناسب و افزایش آلایش نواحی در بازده سلول دارای نقش مثبتی بوده که .نتایج شبیه سازی بصورت نمودارها و جداول آورده شده است که بررسی دقیق وکلی آین نتایج منتج به کاهش هزینه های ساخت و طراحی دقیق تر ساختار خواهد شد. In this article effective factors on efficiency, short-circuit current and open-circuit voltage in nanowire solar cells based on InP material in radial and axial structures are investigated and simulated. General consequences of this studies demonstrate that increasing length and radius of a p-i-n structure with defined and suitable i-regions and increasing of doping levels improve different output characteristics of the device. Results of simulation are shown as diagram and table, accurate survey of these results will reduce costs of production and more precision design stages. نانوسیم InP, آرایه نانو سیم , سلول خورشیدی InP nanowire, Solar cell, Nanowire array 1551 1554 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-848&slc_lang=fa&sid=1 Hamed Bahrami حامد بهرامی bahramihamed@rocketmail.com 10031947532846003949 10031947532846003949 No East Azarbaijan Science and Research Branch, Tabriz, Iran دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات آذربایجان شرقی Saeed Golmohammadi سعید گل محمدی sgolmohammadi@tabrizu.ac.ir 10031947532846003950 10031947532846003950 Yes University of Tabriz دانشگاه تبریز