fa ساخت و مشخصه یابی لایه های نازک گارنت مغناطیسی Bi,Al:YIG آماده شده با روش سل-ژل تخصصی Special پژوهشي Research لایه های نازک (Bi,Al:YIG (BixY3-xFe5-yAlyO12 با روش سل-ژل ساخته شده و با روش چرخشی لایه نشانی می شوند. سپس با عملیات حرارتی، فاز گارنت مغناطیسی در دمای °C 700 بدست می آید. چرخش فاراده و مغناطش اشباع نمونه ها به میزان آلاییدگی Bi و Al وابسته است. به گونه ای که با افزایش Bi و کاهش Al، مغناطش اشباع نمونه ها افزایش می یابد. همچنین آلاییدگی Al در ساختار سبب تغییر جهت ممان های مغناطیسی بسوی عمود بر صفحه می شود، در حالی که در گارنت مغناطیسی بدون حضور Al مغناطش اشباع در جهت موازی با صفحه است. بهترین پاسخ نوری و مغناطیسی برای 2=x و 0/4=y بدست می آید. Substituted yttrium iron garnet Bi,Al:YIG,( BixY3-xFe5-yAlyO12) thin films were prepared by sol-gel method and deposited by spin coating technique. Then, magnetic garnet phase was achieved by thermal annealing at temperature 700°C. The Faraday rotation and the saturation magnetization depend on the doping level of Bi and Al. It is shown that by increasing Bi and decreasing Al, the saturation magnetization of the samples increases. On the other hand, with increasing Al content in the structure, magnetic moments preferentially oriented in the perpendicular to the film plane, while in the absence of Al, saturation magnetization of the magnetic garnet is directed parallel to the plane. The best optical and magnetic responses have been achieved for x=2 and y=0.4. چرخش فاراده, سل-ژل, گارنت مغناطیسی, لایه نازک, لایه‌نشانی چرخشی. faraday rotation, magnetic garnet, sol-gel, spin coating deposition, thin films. 745 748 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-710&slc_lang=fa&sid=1 زهرا حدادنژاد zahrahaddadnezhad@gmail.com 10031947532846003525 10031947532846003525 No دانشگاه شهید بهشتی مجید قناعت شعار m-ghanaat@sbu.ac.ir 10031947532846003526 10031947532846003526 Yes دانشگاه شهید بهشتی