fa تنظیم مد نقص در بلور فوتونی سه لایه با ولتاژ خارجی: طراحی فیلتر نوری کنترل پذیر تخصصی Special پژوهشي Research در این مقاله، رفتار مد نقص در بلور فوتونی یک بعدی سه لایه ایی(MgF2/Ag/TiO2)5LiNbO3(TiO2/Ag/MgF2)5، تحت اعمال ولتاژ الکتریکی خارجی بررسی شده است. لایه نقص LiNbO3، یک ماده الکترو- اپتیکی است که ضریب شکست آن وابسته به ولتاژ است. در مقایسه، منیزیم فلوراید و دی اکسید تیتانیم دارای ضرایب الکترو- اپتیکی خیلی پایینی هستند. بنابراین، با اعمال ولتاژ از لایه های نقره، ضریب شکست لایه نقص در راستای انتشار و به تبع آن راه نوری برای پرتو عبوری از ساختار تغییر کرده لذا محل مد نقص در داخل گاف باند فوتونی جابجا خواهد شد. این ساختار می تواند برای طراحی فیلتر تمام نوری کنترل پذیر مورد استفاده قرار گیرد. In this paper, behavior of defect mode in ternary one-dimensional photonic crystal (MgF2/Ag/TiO2)5LiNbO3(TiO2/Ag/MgF2)5 photonic crystal, under applied external electric voltage is investigated. The defect layer, LiNbO3, is an electro-optical material which its refractive index is voltage dependent. In comparison, MgF2 and TiO2 have very low electro-optical coefficients. Therefore, by applying voltage from the Ag layers, the refractive index of the defect layer in direction of propagation and accordingly, the optical path length of the ray passing through the structure will be changed, so, the position of the defect mode will also shift. This structure can be employed to design a tunable all-optical filter. بلور فوتونی, مد نقص, خواص الکترو- نوری, فیلتر تمام نوری کنترل پذیر Photonic crystal, defect mode, electro-optical properties, tunable all-optical filter 1221 1224 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-634&slc_lang=fa&sid=1 Shiva Rashidi شیوا رشیدی physics.rashidi@yahoo.com 10031947532846003290 10031947532846003290 Yes Kazem Jamshidi-Ghaleh کاظم جمشیدی قلعه k-jamshidi@azaruniv.ac.ir 10031947532846003291 10031947532846003291 No Ali Vahedi علی واحدی ein.vahedi@gmail.com 10031947532846003292 10031947532846003292 No