<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1393</year>
	<month>12</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2015</year>
	<month>3</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>21</volume>
<number>مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>افزایش گاف اپتیکی نانو ساختارهای سیلیکون کارباید با ایجاد تغییرات سطحی</title_fa>
	<title>Enhanced Optical Band Gap of Silicon Carbide Nanostructures by Surface Modification</title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>در این کار تحقیقاتی، پیوندهای Si-O و C-O بر روی سطح نانوساختارهای سیلیکون کارباید با ابعاد حدود 50 نانومتر توسط بازپخت و حکاکی شیمیایی تشکیل شده است. حضور این پیوند ها توسط طیف تبدیل فوریه مادون قرمز (FTIR) مورد تایید قرار گرفته است. همچنین طیف فرابنفش- مرئی کلوئید، افزایش گاف انرژی نانوساختارهای سیلیکون کارباید را نشان می دهد. پیوند C-O باندازه 0.58 الکترون ولت گاف اپتیکی نانوساختارهای سیلیکون کارباید را افزایش داده است. پیوندهای C-O و Si-O نیز گاف اپتیکی این نانوساختارها را 0.87 الکترون ولت افزایش داده اند. خواص اپتیکی مشاهده شده در نانوساختارهای سیلیکون کارباید، این مواد را گزینه باارزشی برای ساختن دیود های گسیل نوری و لیزرها می نماید. </abstract_fa>
	<abstract>In this research work, Si-O and C-O bonds are formed on the surface of the 50 nm sized silicon carbide (SiC) nanostructures using thermal annealing and chemical etching . Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) confirmed the surface bond formations on the SiC nanostructures. UV-visible absorption spectroscopy shows an increase in the optical band gap of the nanostructures about 0.58 eV due to C-O bond . The increase in the optical band gap about 0.87 eV is achieved when the nanostructures surface is modified by the both Si-O and C-O bonds. The observed optical properties corroborate the potential of the silicon carbide nanostructures in UV light emitting diodes and lasers. </abstract>
	<keyword_fa>نانوکریستال های سیلیکون کارباید, تغییرات سطحی, پیوند C-O, پیوند Si-O, افزایش گاف اپتیکی</keyword_fa>
	<keyword>silicon carbide nanostructures, surface modification, C-O bond, Si-O bond, band gap enhancement</keyword>
	<start_page>181</start_page>
	<end_page>184</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-525&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Mohammad</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Mardani</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>محمد</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>مردانی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>mohammad.91mar@yahoo.com</email>
	<code>10031947532846002974</code>
	<orcid>10031947532846002974</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation></affiliation>
	<affiliation_fa></affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Nastaran</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Mansour</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>نسترن</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>منصور</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>n-mansour@sbu.ac.ir</email>
	<code>10031947532846002975</code>
	<orcid>10031947532846002975</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation></affiliation>
	<affiliation_fa></affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Elham</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Sheykhi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>الهام</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>شیخی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>e_sheikhy@yahoo.com</email>
	<code>10031947532846002976</code>
	<orcid>10031947532846002976</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation></affiliation>
	<affiliation_fa></affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Mostafa</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Pouramini</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>مصطفی</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>پورامینی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>m-pouramini@sbu.ac.ir</email>
	<code>10031947532846002977</code>
	<orcid>10031947532846002977</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation></affiliation>
	<affiliation_fa></affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
