fa بررسی جریان تاریک سلولهای خورشیدی بر پایه ی گالیم نیترید با در نظر گرفتن بازترکیب اوژه و شاکلی – رید –هال تخصصی Special پژوهشي Research در این مقاله جریان اشباع تاریک سلولهای خورشیدی پیوندی گالیم نیتریدی با در نظر گرفتن دو نوع از مهمترین بازترکیب های ممکن شامل باز ترکیب اوژه و باز ترکیب شاکلی – رید –هال بررسی شده است. بدین منظور با محاسبه ی نرخ تولید و بازترکیب خالص ساختار سلول خورشیدی پیوندی گالیم نیتریدی تحت تابش نور و استفاده از آن در معادله چگالی حاملین اقلیت و پیوستگی جریان ، عبارتی برای چگالی حاملین اقلیت در ناحیه بیس بدست آمده است. همچنین وابستگی چگالی حاملین اقلیت و چگالی جریان تاریک به عوامل مختلفی همچون میزان آلایش نیمرسانای بیس، پهنای بیس و ... نیز بررسی شده است. In this paper the dark saturation current of p-n junction GaN solar cells with assuming two important types of recombination including Shockley-Read- Hall and Auger recombinations has been investigated. For this aim, with calculating the rate of net recombination of a p-n junction GaN solar cell under illumination and using of it in the minority carriers and continuity equations, an expression for the minority carrier's concentration in the base region has been obtained. Also the dependence of the dark saturation current density on different parameters such as dopancee of the base, the width of the base and etc. has been investigated. سلول خورشیدی- جریان اشباع تاریک- حاملین اقلیت. solar cell, dark saturation current, minority carriers. 1237 1240 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-499&slc_lang=fa&sid=1 Mina Piralaee مینا پیرعلائی minapiralaee@gmail.com 10031947532846002912 10031947532846002912 Yes University of Tabriz دانشگاه تبریز Mina Helali مینا هلالی mhelali2010@gmail.com 10031947532846002913 10031947532846002913 No payam nour University of Urmia دانشگاه پیام نور ارومیه Asghar Asgari اصغر عسگری asgari@tabrizu.ac.ir 10031947532846002914 10031947532846002914 No University of Tabriz دانشگاه تبریز