fa تحلیل مشخصات اپتوالکترونیک لیزر ترانزیستوری طول موج کوتاه تخصصی Special پژوهشي Research چکیده – این مقاله به تحلیل و شبیه سازی مشخصات اپتوالکترونیک لیزر ترانزیستوری تک چاه کوانتومی با قابلیت کارکرد در طول موجهای کوتاه (336nm) می پردازد. یک مدل کنترل بار بر مبنای معادلات نرخ برای یافتن مشخصات اپتوالکترونیک لیزر ترانزیستوری مورد استفاده قرار گرفت. شبیه سازی ها نشان داد که قطعه مربوطه دارای چگالی جریان آستانه ای برابر 12.3kA/cm2 و بهره جریانی در حدود 10.6 می باشد. همچنین 30GHz پهنای باند نوری، پیک رزونانسی زیر 5dB و fmax برابر 53.4GHz برای عرض 15nm چاه کوانتومی و طول کاواک 500mm بدست آمد. This paper deals with analysis and simulation of optoelectronic characteristics of transistor laser, which is capable of operating at short wavelengths. A charge control model based-on rate equations is utilized. Simulations show that the device has 12.3 kA/cm2 threshold current density and 10.6 current gain. Also 30 GHz optical bandwidth, a resonance peak below 5 dB and 53.4 GHz maximum frequency in the case of 15 nm quantum-well width and a cavity length of 500 µm is yield. اپتوالکترونیک, پهنای باند نوری, جریان آستانه, چاه کوانتومی, لیزر ترانزیستوری Optoelectronic, Optical Bandwidth, Threshold Current, Quantum Well, Transistor Laser 53 56 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-440&slc_lang=fa&sid=1 بهزاد حکاری behzadhakkari@aut.ac.ir 10031947532846002735 10031947532846002735 Yes دانشگاه صنعتی امیرکبیر حسن کاتوزیان hsnkato@aut.ac.ir 10031947532846002736 10031947532846002736 No دانشگاه صنعتی امیرکبیر ایمان تقوی eimantaghavi@aut.ac.ir 10031947532846002737 10031947532846002737 No دانشگاه کاشان