fa استفاده از چاه کوانتومی سه گانه به عنوان لایه‌ی بافر در دیودهای نورگسیل آلی و بررسی تأثیر آن در کاهش ولتاژ آستانه تخصصی Special پژوهشي Research دیودهای نورگسیل آلی از جمله قطعاتی است که در تحقیقات اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. یکی از پارامترهای مهم در عملکرد این قطعه ولتاژ آستانه کار دیود است. در این پژوهش، استفاده از چاه کوانتومی در ساختار دیودهای نورگسیل آلی مورد بررسی قرار گرفت و چاه کوانتومی سه گانه به صورت تجربی در ساختار برای کاهش ولتاژ آستانه‌ی دیود مورد استفاده شد. نتایج نشان می‌دهد که این ولتاژ به طور قابل ملاحظه‌ای کاهش یافته است. The Organic Light Emitting diode (OLED) is one of the important devices that attract many researches. One of the important parameters in relation to OLED is threshold voltage. In this research the use of quantum wells in OLED’s structure was investigated and a triple quantum well was used experimentally in the structure to reduce threshold voltage. Our result show that this voltage reduced significantly. دیودهای نورگسیل آلی, نیمرساناهای آلی, لایه های بافر, ولتاژ آستانه Organic Light Emitting Diode, Organic Semiconductor, buffer layer, threshold voltage 1041 1044 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-399&slc_lang=fa&sid=1 Sayyed gholamreza rahimi سید غلامرضا رحیمی gholamreza192@gmail.com 10031947532846001425 10031947532846001425 Yes isfahan university دانشگاه اصفهان hamidreza fallah حمیدرضا فلاح hfallah@sci.ui.ac.ir 10031947532846001426 10031947532846001426 No Isfahan university دانشگاه اصفهان