fa بررسی تاثیر برخورد یونیزه کننده در ترانزیستور نوری مبتنی بر نانو روبان گرافن تخصصی Special پژوهشي Research ما دراین مقاله برای نخستین بار، تاثیر برخورد یونیزه کننده بر افزایش بهره نوری ترانزیستور نوری مبتنی بر نانو روبان گرافن را بررسی می کنیم. ترانزیستوری نوری که بررسی می کنیم، بر پایه آرایه ای از نانو روبان های گرافن شکل گرفته و گیت زبرین و گیت زیرین، افزایش بهره نوری ناشی از تکثیر حامل ها را به شدت کنترل می کند. مشاهده می شود که تکثیر حامل ها به ازای ولتاژ معمولی درین نیز، رخ می دهد. بنابراین صرفنظر کردن از برخورده یونیزه کننده، خطای بزرگی در محاسبه جریان نوری به همراه خواهد داشت. In this paper we investigate the effect of impact ionization in graphene nanoribbon-based phototransitor for the first time.We consider a phototransistor based on an array of graphene nanoribbons in which the top gate and the back gate control the carrier multiplication and optical gain. Impact ionization and carrier multiplication occur in moderate drain voltages. So, elimination of the impact ionization in photocurrent calculation causes a big error. برخورد یونیزه کننده, ترانزیستور نوری, تکثیر حامل ها, نانو روبان گرافن Carrier Multiplication, Graphene Nanoribbon, Impact Ionization, Phototransistor 25 28 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-21&slc_lang=fa&sid=1 Mohsen Heidari محسن حیدری mh.heidari@modares.ac.ir 10031947532846001689 10031947532846001689 No Shiraz University دانشگاه شیراز Abbas Zarifkar عباس ظریفکار zarifkar@shirazu.ac.ir 10031947532846001690 10031947532846001690 Yes Shiraz University دانشگاه شیراز Mohammad Hossein Sheikhi محمدحسین شیخی msheikhi@shirazu.ac.ir 10031947532846001691 10031947532846001691 No Shiraz University دانشگاه شیراز