fa مطالعه نظری خواص الکتریکی دیود شاتکی Au/n-GaN تخصصی Special پژوهشي Research <span lang="AR-SA" style="font-family: " dir="rtl">چکیده-دراین تحقیق مشخصه </span><b style="mso-bidi-font-weight: normal"><span style="font-family: ">I-V</span></b><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span lang="AR-SA" style="font-family: " dir="rtl"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span> مربوط به دیود شاتکی </span><b style="mso-bidi-font-weight: normal"><span style="font-family: ">Au/n-GaN</span></b><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span lang="AR-SA" style="font-family: " dir="rtl"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span> در گستره دمایی 100- </span><span style="font-family: ">K</span><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: " dir="rtl"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span> <span lang="AR-SA"><font face="Times New Roman" size="3">350 مورد مطالعه قرار گرفته است. کمیت های گوناگون مانند: بزرگی ارتفاع سد</font></span></span><span lang="AR-SA" style="font-family: " dir="rtl"> </span><b><span style="font-family: ">φ_b0</span></b><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: " dir="rtl"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span> <span lang="AR-SA"><font face="Times New Roman" size="3">،ضریب ایده آلی</font></span></span><b style="mso-bidi-font-weight: normal"><span style="font-family: ">n</span></b><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span lang="AR-SA" style="font-family: " dir="rtl"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span> و مقاومت متوالی </span><span><strong>R_s</strong>قطعه با استفاده از نظریه گسیل گرمایونی </span><span dir="ltr"></span><span dir="ltr"></span><b style="mso-bidi-font-weight: normal"><span style="font-family: "><span dir="ltr"></span><span dir="ltr"></span>(TE)</span></b><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: " dir="rtl"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span> <span lang="AR-SA"><font face="Times New Roman" size="3">و به روش چانگ مبتنی بر یک ارتفاع سد پتانسیل ثابت تعیین شدند. دریافتیم نظریه تعمیم یافته گسیل گرمایونی با در نظر گیری وجود ارتفاع سد ناهمگون (با توزیع گوسی) نه تنها در بردارنده نتایج نظریه مقدماتی است بلکه به خوبی برآورنده بزرگی ضریب موثر ریچاردسون در این پیوندگاه است. </font></span></span> <span style="font-family: ">Abstract- In this research, we have studied the temperature dependence (100-350 K) of I-V characteristics in Au/n-GaN Schottky diode. Various quantities such as: barrier height (</span><span style="font-family: ">φ_b0</span><span style="font-family: ">), ideality factor (n) and series resistance (R_s) of the device are determined on the basis of a constant barrier height using thermionic emission theory (TE) by Chang's method. We found the extended thermionic emission theory considering an inhomogeneous (Gaussian distribution) barriers not only provide the preliminary theory results, but also lead to the correct value for the effective <st1:city w:st="on"><st1:place w:st="on">Richardson</st1:place></st1:city>coefficient</span> دیود شاتکی, n-GaN, گسیل گرمایونی, مشخصه الکتریکی, نظریه سد ناهمگون Shottky diode, n-GaN, Thermionic emission, Electrical characteristics, Inhomogeneous barrier theory 1177 1180 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-388&slc_lang=fa&sid=1 zohreh kordghasemi زهره کردقاسمی kordghasemi.z@gmail.com 10031947532846001461 10031947532846001461 Yes hosein eshghi حسین عشقی h_eshghi@shahroodut.ac.ir 10031947532846001462 10031947532846001462 No