fa تاثیر درصد استوکیومتری بر ترازهای انرژی نقطه کوانتومی هرمی شکل In_x Ga_(1-x) As مبتنی بر GaAs تخصصی Special پژوهشي Research در این مقاله، لبه نوار و ترازهای انرژی نقاط کوانتومی هرمی شکل In_x Ga_(1-x) As روی زیرلایه GaAs بررسی نموده‌ایم. نشان می‌دهیم که با تغییرات درصد استوکیومتری In نسبت به Ga در نقطه کوانتومی مقادیر مجاز انرژی در نقاط افزایش ‌یافته و لبه نوارهای هدایت و رسانش به هم نزدیک‌تر می‌شوند و همچنین طول موج گسیلی نور از ترازها افزایش می‌یابد. نتایج ما بسیار با نتایج تجربی و تئوری‌های پیشین سازگار هستند. Abstract- In this paper, we have studied the bandedge and energy levels of pyramidal InGaAs based quantum dots (QDs) surrounded by GaAs. We show that by changing the In ratio rather than Ga in the QD, not only the allowed energy states increase, but also the conduction and valence bandedges get closer to each other. We even show that the radiation wavelength get longer. Our results appear to coincide with former researches. کرنش, لبه نوار, نانوالکترونیک, نقاط کوانتومی Strain, bandedge, nano-electronics, quantum dots 705 708 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-280&slc_lang=fa&sid=1 Mahdi Ahmadi Borji مهدی احمدی mehdi.p83@gmail.com 10031947532846002232 10031947532846002232 Yes Esfandiar Rajaei اسفندیار رجایی raf404@guilan.ac.ir 10031947532846002233 10031947532846002233 No Kaveh Kayhani کاوه کیهانی kaveh_715@hotmail.com 10031947532846002234 10031947532846002234 No