fa مطالعه خواص الکتریکی و فوتو رسانایی در پیوندگاه ناهمگون n-ZnO/p-CuO تخصصی Special پژوهشي Research چکیده – پیوندگاه ناهمگون CuO/ZnO:Al بر روی زیر لایه FTO با روش افشانه تجزیه حرارتی تهیه گردید. نمونه تهیه شده توسط طیف های XRD، و UV-Vis. و همچنین مشخصه یابی I-V در شرایط تاریکی و تحت تابش استاندارد مورد مطالعه قرار گرفت. دریافتیم لایه های به کار گرفته شده دارای ساختار بسبلوری بوده و از گاف نواری اپتیکی eV 25/3 برای لایه ZnO و eV 63/1 برای لایه CuO برخوردار است. بررسی خواص الکتریکی نمونه حاکی از رفتار یکسوکنندگی است. بررسی واکنش قطعه به نورتابی نشان دهنده حساسیت بالاتر آن در شرایط بایاس وارون در مقایسه با بایاس مستقیم می باشد. Abstract- CuO/ZnO:Al hetero-junction were fabricated on FTO substrate by spray pyrolysis method. The prepared sample was characterized by XRD and UV-Vis. spectra, also I-V characterization in dark and under standard illumination. We found the investigated layers have a polycrystalline structure with an optical band gap of 3.25 eV for ZnO layer and 1.63 eV for CuO layer. Electrical characterization of the sample showed a rectifying behavior. The device reaction to the illumination showed that it has a higher sensitivity in reverse bias condition compared with that in forward bias. پیوندگاه ناهمگون CuO/ZnO:Al, افشانه تجزیه حرارتی, یکسوسازی, فوتو-جریان. CuO/ZnO:Al hetero-junction, Spray pyrolysis, Rectification, Photo-current 625 628 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-260&slc_lang=fa&sid=1 Mehdi Torabi Goodarzi مهدی ترابی گودرزی mehditorabigh@gmail.com 10031947532846002165 10031947532846002165 No Shahrood University of Technology دانشگاه صنعتی شاهرود Hosein Eshghi حسین عشقی h_eshghi@shahroodut.ac.ir 10031947532846002166 10031947532846002166 Yes Shahrood University of Technology دانشگاه صنعتی شاهرود