fa اثر پلاسمای تخلیه الکتریکی تابان بر بهبود جریان اتصال کوتاه در سلول های خورشیدی حساس شده با رنگینه تخصصی Special تجربی Experimental <strong>لایه های نازک </strong>ZnO&nbsp;<strong>از طریق روش سُل-ژِل آماده و تحت پلاسمای تخلیه الکتریکی تابان آرگون و نیتروژن قرار گرفتند. میدان الکتریکی در غلاف پلاسمای آرگون قوی تر از نیتروژن است بنابراین تغییرات در ساختار بلورین برای ZnO/Ar در قیاس با ZnO/N₂ بزرگتر بود. مطالعه دقیق پارامترهای پاشندگی و پذیرفتاری اپتیکی غیر خطی مرتبه سوم، تغییرات خواص شیمیائی در سطح این لایه های نازک را آشکار ساخت. پلاسما بطور قابل ملاحظه ای موجب افزایش جفت شدگی الکترونی Zn-N719، با کاهش کمپلکس Zn²⁺/dye&nbsp;می شود. بررسی دانسیته های جریان اتصال کوتاه بهبود قابل توجه در جفت شدگی الکترونی را نمایش داد.</strong> The ZnO thin films were prepared via the sol-gel method and then treated in Ar and N₂ glow discharge plasma. The electric field in the Ar plasma sheath is stronger than the N₂ plasma, so the crystalline changes in the ZnO/Ar were larger in comparison to ZnO/N₂. A detailed study of the dispersion parameters and the third-order nonlinear optical susceptibilities represented alterations in the chemical properties of the thin films&#39; surface. The plasma remarkably enhances the Zn-N719 electronic coupling via the reduction of the Zn²⁺/dye complexes. The short circuit photocurrent densities showed the electronic coupling improvement. اکسید روی, پلاسمای تخلیه الکتریکی تابان, رنگینه N719, سُل-ژِل, کمپلکس Zn2+/dye Glow discharge plasma, N719 dye, Sol-Gel, Zn2+/dye complex, ZnO. 695 698 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1971-203&slc_lang=fa&sid=1 Ali amini علی امینی Elshanaa@gmail.com 100319475328460010699 100319475328460010699 Yes mohammad sadegh Zakerhamidi محمدصادق ذاکرحمیدی Zakerhamidi@tabrizu.ac.ir 100319475328460010700 100319475328460010700 No Sirous Khorram سیروس خرم Skhorram@tabrizu.ac.ir 100319475328460010701 100319475328460010701 No