fa اثرمحل لایه ی نقص بر جابجایی گوس- هانچن در بلورهای فوتونیکی یک بعدی در حضور متا ماده تخصصی Special پژوهشي Research چکیده - در این مقاله اثر محل لایه نقص بر جا بجایی گوس- هانچن را در یک بلور فوتونی یک بعدی در حضور متا ماده مطالعه می‌کنیم. نشان می‌دهیم که جا بجایی فوق بسته به تحریک امواج سطحی پیشرو و یا پسرو مثبت و یا منفی خواهد بود. همچنین مشاهده می‌کنیم که به ازای محلهای مختلف لایه نقص بیشینه جا بجایی گوس- هانچن در زوایای تابش متفاوت باریکه گوسی رخ می دهد. به طوری که این زوایای تابش در مورد امواج پیشرو ( پسرو) با دور شدن لایه نقص از سطح بلور از مقادیر بزرگ (کم) کاهش (افزایش)یافته و به مقدار نظیر بدون نقص میل می کند. Abstract- In this paper we study the effect of position of the defect layer on the Goos-Hanchen shift in the one-dimensional photonic crystal in the presence of metamaterial. We show that the Goos-Hanchen shift will be positive or negative depending on the excitation of the forward or backward surface waves. Also, we observe that the maximum Goos-Hanchen shift for different position of defect layer will take place in different incident angles of Gaussian beam. So that these angles in the case of forward ( backward) waves decrease (increase) from high( low) values toward the angle corresponding to without defect layer case by removing the defect layer from surface of crystal . بلور فوتونیکی, جا بجایی گوس- هانچن, متا‌ماده Photonic Crystal, Goos-Hanchen Shift, Metamaterial. 1321 1324 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-211&slc_lang=fa&sid=1 Hedayat pourasiab هدایت پورآسیاب omidihedayat@yahoo.com 10031947532846002399 10031947532846002399 Yes Abdolrahman namdar عبدالرحمن نامدار a.namdar@tabrizu.ac.ir 10031947532846002400 10031947532846002400 No