<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1399</year>
	<month>7</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2020</year>
	<month>10</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>27</volume>
<number>1</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>طراحی یک جاذب فراماده بسیار پهن‌باند تراهرتز بر اساس تشدیدگرهای ریز نواری</title_fa>
	<title>Design of an ultra-broadband THz metamaterial absorber based on micro-strip resonators</title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:12.0pt;&quot;&gt;در این مقاله با اضافه کردن یک لایه عایق بر روی دو لایه تشدیدگر ریز نواری انباره شده از جنس کرومیوم، ساختار جدیدی از جاذب&amp;shy;&#8204;های پهن&#8204;باند تراهرتز ارائه شده است. این ساختار با استفاده از روش عددی المان محدود شبیه&amp;shy;&#8204;سازی شده و نشان داده شده است که پهنای باند نسبی آن با فقط دو لایه تشدیدگر برای جذب 90 درصد به 150 درصد می&#8204;رسد. پهنای باند این ساختار به طول 6/2 تراهرتز است و فرکانس&amp;shy;&#8204;های بین 43/0 تا 03/3 تراهرتز را می&#8204;پوشاند. جذب در این ساختار برای هر دو قطبش &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;TE&lt;/span&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:12.0pt;&quot;&gt;و &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;TM&lt;/span&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:12.0pt;&quot;&gt; نسبت به زاویه برخورد در بازه 0 تا 60 درجه غیر حساس است و همواره بالای 80 درصد قرار دارد. علاوه بر این، عدم حساسیت افزاره پیشنهادی به ناهمترازی بین لایه&amp;shy;&#8204;ها تا 45 میکرومتر، ساخت آن را بسیار راحت می&amp;shy;&#8204;کند. &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;br&gt;
&amp;nbsp;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;strong&gt;Abstract&lt;/strong&gt;- &lt;strong&gt;In this article, a new structure of ultra-broadband absorber has been introduced by adding an insulator layer on two stacked layers of the microstrip resonators made of chromium. This structure is simulated by finite element method (FEM) and it has been shown that the relative bandwidth of the structure exceeds 150 percent for 90 percent absorption by using only two layers of resonators. Its bandwidth is equal to 2.6 THz and covers the frequency range between 0.43 to 3.03 THz. The absorption of this structure for both TE and TM polarization is insensitive to the incident angle between 0 to 60 degrees and always is more than 80 percent. besides, the insensitivity of the structure to the misalignment between layers up to 45 &lt;/strong&gt;&amp;micro;m&lt;strong&gt; facilitates its fabrication. &lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;
&amp;nbsp;</abstract>
	<keyword_fa>جاذب؛ فراماده؛ تراهرتز؛ ​​​​​​​</keyword_fa>
	<keyword>Absorber, Metamaterial, Terahertz,</keyword>
	<start_page>97</start_page>
	<end_page>99</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2244&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Mostafa</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Shabani</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>مصطفی</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>شعبانی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846009219</code>
	<orcid>10031947532846009219</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Dept. of Electronics, Faculty of electrical and computer engineering, Tabriz University, Tabriz, Iran</affiliation>
	<affiliation_fa>گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
