fa بررسی اثر چگالی تله های سطحی بر عملکرد سلول های خورشیدی پروسکایتی بر پایه MAPbI3 تخصصی Special پژوهشي Research <a name="_Hlk48935084"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">روند رشد بازده</span></span></a> <span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">سلول های خورشیدی پروسکایتی در مقایسه با سایر سلولهای خورشیدی خیرکننده بوده است. به علت ماهیت جدید و متفاوت مواد پروسکایت، شناخت دقیق مشخصه های این نوع مواد نیاز به پژوهش های گسترده تجربی و نظری است. </span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">به خاطر ساختارهای لایه ای این نوع سلول های خورشیدی، بررسی دقیق اثرات بازترکیب سطحی و تله ها برای بهینه سازی بسیار مورد توجه می باشد. در این مقاله با استفاده از حل خودسازگار معادلات پیوستگی جریان و پواسون و با در نظر گرفتن تولید و بازترکیب حاملین بار، اثرات چگالی نقص های سطحی در پیوندگاه </span></span><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">MAPbI₃/spiro-OMeTAD</span></span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;"> بر عملکرد سلول های خورشیدی پروسکایتی مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که با افزایش چگالی نقص های سطحی، بازترکیب حاملین در این ناحیه افزایش می یابد که باعث کاهش چگالی حاملین بار شده و در نتیجه جریان کاهش می یابد. نتایج به دست آمده نشان می دهد با افزایش چگالی نقص های سطحی تا میزان </span></span><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">&nbsp;cm^-3</span></span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">10¹³ کاهش محسوسی در بازده مشاهده نمی شود ولی با افزایش تدریجی آن، بازده به شدت کاهش می یابد که به خاطر بازترکیب حاملین در نزدیکی لایه رسانای حفره و کاتد می باشد. علاوه بر این، به خاطر بازترکیب حاملین در این نقص ها، جریان و ولتاژ نیز کاهش می یابد. </span></span><br> <span dir="LTR"><span style="font-size:12.0pt;"></span></span> In this paper, we have performed a numerical simulation study to investigate the effects of interface trap concentration on device behavior. For this purpose, we chose interface trap density from 10¹¹ to 10¹⁵ cm^-3 in MAPbI₃/spiro<span dir="RTL">-</span>OMeTAD interface layer. Based on our results, when the interface defects density is below the 10¹³ cm^-3, cell efficiency dropped about 2%<span dir="RTL">, </span>where <em>J_sc</em> is constant and <em>V_oc</em> decreases linearly. By increasing the interface effect density from 10¹³ cm^-3to 10¹⁵ cm^-3, the cell efficiency falls down dramatically from 23% to about 6%. Simulation results showed that by increasing the interface traps density, <em>J_sc</em> and <em>V_oc</em> decrease 65% and 20%, respectively, where cell efficiency decreases significantly more than 75%, which concludes that the main loses of charge carriers occurs in interface layers. Quantum efficiency results show considerably decreasing when trap density is above 10¹³ cm^-3.<br> &nbsp; سلول های خورشیدی پروسکایتی؛ بازده؛ چگالی بار سطحی Perovskite solar cells, Efficiency, interface trap concentration 88 90 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2241&slc_lang=fa&sid=1 Ladan Khatapoosh لادن خطاپوش 10031947532846009213 10031947532846009213 Yes Research Institute for Applied Physics and Astronomy, University of Tabriz, Tabriz, Iran پژوهشکده‌ی فیزیک کاربردی و ستاره‌شناسی، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران Nesa Majidzadeh نساء مجیدزاده 10031947532846009214 10031947532846009214 No Research Institute for Applied Physics and Astronomy, University of Tabriz, Tabriz, Iran پژوهشکده‌ی فیزیک کاربردی و ستاره‌شناسی، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران Saeid Asgharizadeh سعید اصغری زاده 10031947532846009215 10031947532846009215 No Research Institute for Applied Physics and Astronomy, University of Tabriz, Tabriz, Iran پژوهشکده‌ی فیزیک کاربردی و ستاره‌شناسی، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران