fa مطالعه عددی مدهای انتشاری در ساختار دیود نورگسیل پروسکایتی تخصصی Special پژوهشي Research <span dir="RTL"><span style="font-family:Arial,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">در این مقاله، با استفاده از روش عددی عنصر متناهی، یک ساختار دیود نورگسیل تخت، مبتنی بر پروسکایت </span></span></span><span style="font-family:Calibri,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">CH₃NH₃PbBr₃</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:Arial,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;"> </span></span></span><span style="font-family:Calibri,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">&nbsp;در طول موج nm</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:Arial,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">530 شبیه‌سازی شده است. بررسی مدهای انتشاری ساختار، نشان می‌دهد که وجود اختلاف بین ضرایب شکست لایه‌های انتقال‌دهنده و الکترود شفاف، عاملی محدود کننده برای بازده کوانتومی خارجی است. نتایج عددی بدست آمده نمایان می‌سازد که محصور‌شدگی مدها در لایه‌های میانی قابل توجه است. همچنین، مقایسه مدهای مراتب بالاتر از جمله مدهای مرتبه دوم و چهارم با مد اصلی مشخص می‌کند که در مدهای دیگر نیز همچنان این اثر صورت می‌پذیرد.</span></span></span> Using the finite element numerical method, we have simulated a planar light emitting diode (LED) based on CH₃NH₃PbBr₃ perovskite material at 530 nm wavelength. Analysis of the LED propagating modes shows that the difference between the refractive indices of the carrier transfer layer and the transparent electrode is a limiting factor for the external quantum efficiency. Moreover, the numerical results indicate that the modes are strongly confined in the middle layer. A further study reveals a similar observation for the second and fourth order modes. پروسکایت؛ دیود نورگسیل؛ بازده کوانتومی خارجی Perovskite, Light emitting diode (LED), External quantum efficiency 79 81 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2238&slc_lang=fa&sid=1 M. Yarahmady مرتضی یاراحمدی 10031947532846009204 10031947532846009204 No Dept. of Electronics, Faculty of ECE, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran. گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران E. Yazdani الناز یزدانی 10031947532846009205 10031947532846009205 No Dept. of Physics, Faculty of Basic Sciences, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran. گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران M. K. Moravvej-Farshi محمد‌کاظم مروج فرشی 10031947532846009206 10031947532846009206 Yes Dept. of Electronics, Faculty of ECE, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran. گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران