Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences
مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS
Basic Sciences
http://opsi.ir
1
admin
1126-3278
10
8
7
14
8888
13
fa
jalali
1398
11
1
gregorian
2020
2
1
26
ICOP & ICPET 2020
online
1
fulltext
en
بررسی خواص اپتیکی و ترکیبی ایندیوم آلومینیوم نیترید به عنوان یک ماده جدید در گسیلنده های نوری
Optical and Compositional properties of Indium Aluminium Nitride as a New Active Material for Light Emitting Applications
تخصصی
Special
پژوهشي
Research
<span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">ایندیوم آلومینیوم نترید (</span></span><span dir="LTR">InAlN</span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">)</span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> یک ماده نیمه هادی مهم و البته چالشی از دسته نیمه هادی های نیتریدی بوده که اخیرا مورد توجه دانشمندان قرار گرفته است. یکی از چالش های اساسی فرآوری این ماده، مشخص کردن پهنای باند در غلطت های پایین ایندیوم است و هنوز تحقیقات و داده های قابل اتکایی برای آن وجود ندارد. در اینجا، چاه های کوانتومی به روش اپیتکسیال بر روی زیرلایه از جنس آلومینا رشد داده شده و مشاهده شد که در طول موج های بین 300 الی 350 نانومتر نور گسیل می کنند. همچنین لایه های با ضخامت حدود 100 نانومتر رشد داده شده و پهنای نواری </span></span><span dir="LTR">InAlN</span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> بوسیله فتولومینسانس اندازه گیری شد. مشاهده شد که با افزایش دمای رشد از غلظت ایندیوم کاسته شده و همچنین با افزایش غلظت ایندیوم پهنای باند به سرعت و بصورت غیر خطی کاهش می یابد</span></span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">.</span></span></strong><span dir="LTR"></span>
Among all III-Nitride materials Indium Aluminium Nitride (InAlN) is an important but challenging material system used in many applications including InAlN/GaN high electron mobility transistors, InAlN/GaN Bragg reflectors and InAlN-based photodetectors. Despite this, a significant discrepancy (±0.3 eV) exists in the band-gaps reported for even the most studied and technologically relevant compositions, around the lattice matched condition to GaN. For accurate estimation of band-gap across the whole composition range, a detailed data set for the lowest indium content region is needed, but has not been available. Here InAlN/AlGaN multiple quantum wells (MQWs) emitting between 300 and 350 nm have been prepared by metalorganic organic chemical vapor deposition (MOCVD) on planar AlN templates. Also we studied InAlN epitaxial layers grown on AlN by MOVPE at different temperatures and determined their band-gap Eg by means of photoluminescence excitation spectroscopy.
ایندیوم آلومینیوم نیترید, اپیتکسی, گسیلنده نور, باند انرژی
Indium Aluminium Nitride, InAlN, Band-Gap, Luminescence, Epitaxy, MOCVD
1125
1128
http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2183&slc_lang=en&sid=1
Shahab
Noroozian Alam
شهاب
نوروزیان علم
10031947532846008972
10031947532846008972
Yes
2. Photonics Centre, Tyndall National Institute, Cork, Ireland
موسسه ملی تیندال
Vitaly
Zubialevich
ویتالی
زوبیالویچ
10031947532846008973
10031947532846008973
No
2. Photonics Centre, Tyndall National Institute, Cork, Ireland
موسسه ملی تیندال
Bijan
Ghafary
بیژن
غفاری
10031947532846008974
10031947532846008974
No
1. Physics Department, Iran University of Science & Technology, Tehran, Iran
دانشگاه علم و صنعت ایران
Peter
Parbrook
پیتر
پاربروک
10031947532846008975
10031947532846008975
No
2. Photonics Centre, Tyndall National Institute, Cork, Ireland
موسسه ملی تیندال