fa اثر تابش گاما با نرخ دز بسیار کم بر آشکارساز فرابنفش GaN برای کاربردهای فضایی تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">آشکارساز نوری فرابنفش </span></span></strong><span dir="LTR">MSM</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> بر پایه لایه هم&shy;بافته </span></span></strong><span dir="LTR">GaN</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> نوع </span></span></strong><span dir="LTR">n</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> ساخته شده&shy; است. تاثیر تابش گاما از منبع </span></span></strong><span dir="LTR">Co</span><strong>^{<span style="font-family:B Nazanin;">60</span>}</strong> &nbsp;<strong><span style="font-family:B Nazanin;">با نرخ تابش بسیار کم&nbsp; </span></strong><span dir="LTR">&nbsp;rad(Si)/s</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;">0001/0 در دمای اتاق بر جریان الکتریکی آشکارساز مورد بررسی قرارگرفته است. برخلاف مشاهدات قبلی، افزایش و سپس کاهش تدریجی جریان تاریک با افزایش دز تابش گاما به&shy;وضوح مشاهده شد. با به&shy;کار &shy;گیری سازوکار انتقال حامل&shy;ها در حالت&shy;های جایگزیده، تولید حامل&shy;ها توسط تابش و سپس به دام افتادن آن&shy;ها در نقص&shy;های شبکه، یک توضیح پیشنهادی برای رفتار نمودار مشخصه ولتاژ-جریان آشکارساز ارائه گردید. نتایج حاصله برای درک چگونگی برهم&shy;کنش فوتون&shy;های گاما با لایه هم&shy;بافته </span></strong><span dir="LTR">n-GaN</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"> بسیار مهم است.</span></strong><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"></span></span></strong> GaN MSM UV photodetector were fabricated on n-GaN epitaxial layer. The effect of room temperature ⁶⁰Co &gamma;-radiation at very low dose rate (0.0001 rad(Si)/s) on the electric current of photodetector was studied. In contrast to earlier observations, by increasing the gamma dose, an initial increasing of the dark current followed by the gradual decrease has been observed. The abnormal behavior of the voltage-current characteristic of the photodetector can be explained by considering the carriers transfer mechanism in localized states, which is very common in III-Nitride semiconductors. The results presented here are found to be important in understanding the mechanism of interaction of&nbsp; ⁶⁰Co &gamma;-irradiation with n-GaN epilayer<span dir="RTL">.</span><span dir="RTL"></span> آشکارساز نوری, GaN,گاما, جریان تاریک photodetector, GaN, gamma, dark current. 585 588 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2104&slc_lang=fa&sid=1 Leyla Barghamadi لیلا برغمدی 10031947532846008708 10031947532846008708 Yes Iran University of Science and Technology, Tehran, Iran دانشگاه علم و صنعت ایران Shahab Norouzian Alam شهاب نوروزیان علم 10031947532846008709 10031947532846008709 No Iran University of Science and Technology, Tehran, Iran دانشگاه علم و صنعت ایران Seyed Hassan Sedighy سید حسن صدیقی 10031947532846008710 10031947532846008710 No Iran University of Science and Technology, Tehran, Iran دانشگاه علم و صنعت ایران Bijan Ghafary بیژن غفاری 10031947532846008711 10031947532846008711 No Iran University of Science and Technology, Tehran, Iran دانشگاه علم و صنعت ایران