fa افزایش جذب و پهنای جذب TMDCها با استفاده از بلور فوتونی تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">امروزه بلور‌های دوبعدی کلکوژناید‌های فلزات واسطه (</span></span></strong><span dir="LTR">TMDCs</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) به علت گاف نواری مستقیم و جذب قابل توجه در ناحیه‌ی مرئی در دستگاه‌های اپتوالکترونیکی بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند. استفاده از </span></span></strong><span dir="LTR">TMDC</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> ها در ساختار‌های بلوری باعث افزایش جذب و کارایی آن‌ها خواهد شد. در این مقاله، به منظور طراحی ساختاری با جذب بالا در بازه‌ی گسترده‌ای از طول موج‌، تاثیر قرارگیری </span></span></strong><span dir="LTR">TMDC</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ها در سه ساختار بلور فوتونی شامل </span></span></strong><span dir="LTR">SiO₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">، </span></span></strong><span dir="LTR">Si₃N₄</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> و </span></span></strong><span dir="LTR">TMDC</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> با بهره‌گیری از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. چهار ماده‌ی </span></span></strong><span dir="LTR">&nbsp;TMDC</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">مورد بررسی مولیبدن دی سولفید (</span></span></strong><span dir="LTR">MoS₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">)، مولیبدن دی سلنیوم (</span></span></strong><span dir="LTR">MoSe₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">)، تنگستن دی سولفید (</span></span></strong><span dir="LTR">WS₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) و تنگستن دی سلنیوم (</span></span></strong><span dir="LTR">WSe₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) می‌باشند که در بهترین ساختار به جذب بالا‌ی 66% (۹۲</span></span></strong><strong><span style="font-size:11.0pt;">٪</span></strong><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) در بازه‌ی 400-700 نانومتر (۴۰۰-۵۳۰ نانومتر) دست یافته&shy;ایم.</span></span></strong><span dir="LTR"></span> <strong>Nowadays transition material dichalcogenide (TMDC) two-dimensional crystals due to direct band gap and a significant absorption in the visible region have been highly regarded in optoelectronic devices. The use of TMDCs in photonic crystals will increase the absorption and performances of them. In this paper, in order to design a structure with high absorption in a wide range of wavelength, TMDCs wrapping impact in three photonic crystals including SiO₂, Si₃N₄ and TMDC has been investigated by using the transfer matrix method. Four TMDCs contains Molybdenum disulfide (MoS₂), Molybdenum diselenide (MoSe₂), Tungsten disulfide (WS₂) and Tungsten diselenide (WSe₂) </strong><strong>which in best structures</strong><strong> we reached to absorption higher than 66% (92%) in range of 400-700 nm (400-530nm).</strong> بلورفوتونی, پهنا‌ی جذب, تک‌لایه‌ها‌ی کلکوژناید‌ فلزات واسطه, جذب photonic crystals, broadband absorption, Transition material dichalcogenide monolayers, absorption 397 400 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2051&slc_lang=fa&sid=1 Narges Ansari نرگس انصاری 10031947532846008506 10031947532846008506 Yes Department of Physics, Alzahra University, Tehran دانشگاه الزهرا Kimya Fallah کیمیا فلاح 10031947532846008507 10031947532846008507 No Department of Physics, Alzahra University, Tehran دانشگاه الزهرا Ensiyeh Mohebbi انسیه محبی 10031947532846008508 10031947532846008508 No Department of Physics, Alzahra University, Tehran دانشگاه الزهرا