Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences
مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS
Basic Sciences
http://opsi.ir
1
admin
1126-3278
10
8
7
14
8888
13
fa
jalali
1398
11
1
gregorian
2020
2
1
26
ICOP & ICPET 2020
online
1
fulltext
fa
رفتار جذب یکسویه در بلور فوتونی سه تایی شامل گرافن و لایه نقص MoS2
One-Way Absorption Behavior in Ternary PC Containing Graphene and MoS2 Defect Layer
تخصصی
Special
پژوهشي
Research
<strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">تک­لایه­های گرافن و مولیبدینییوم دی­سولفاید </span></span></strong><span dir="LTR">(MoS<sub>2</sub>)</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> به­تنهایی به دلیل ضخامت کم جذب ناچیزی دارند.</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> ترکیب این نوع مواد در ساختار بلور فوتونی می­تواند سبب افزایش جذب ساختار ­شود. در این کار</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">، ساختار</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ی از</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> بلور فوتونی با تناوب </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">سه­تایی</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">به­شکل </span></span></strong><span dir="LTR">(ABG)<sup>n </sup>CMoS<sub>2</sub>C (GBA)<sup>m</sup></span> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">پیشنهاد شده که در آن لایه­های</span></span></strong> <span dir="LTR">A</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">، </span></span></strong><span dir="LTR">B</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> و </span></span></strong><span dir="LTR">C</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> مواد دی­الکتریک</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">،</span></span></strong><span dir="LTR">G </span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> نشان دهنده لایه گرافن وترکیب </span></span></strong><span dir="LTR">CMoS<sub>2</sub>C</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> به عنوان لایه­ی نقص می­باشند.</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> طیف جذبی ساختار با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. نتایج نشان می­دهند که ساختار فوق در ناحیه طیف مرئی رفتار جذب یک­سویه دارد. اثر مکان لایه­ی نقص، قطبش و راستای میدان تابشی </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در رفتار جذب یکسویه مطالعه و بهینه شده ­است. </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">مکان</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> مد جذبی مستقل از نوع قطبش بوده ولی شدت پیک و پهنای آن در قطبش </span></span></strong><span dir="LTR">TE</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> بسته به جهت تابش با تغییر زاویه رفتار متفاوت دارد.</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> لازم به ذکر است که وجود لایه گرافن باعث افزایش جذب ساختار می­شود.</span></span></strong>
Graphene and MoS<sub>2</sub> monolayers have little absorption due to their very low thickness. By introducing those materials in structure of a photonic crystal (PC), can increase the absorption. In this work, a PC structure with ternary periodicity in the form of (ABG)<sup>n</sup> CMoS<sub>2</sub>C (GBA)<sup>m </sup>is proposed, where A, B and C layers are the dielectric materials, G is denoting the Graphene and the segment CMoS<sub>2</sub>C is introduced as the defect layer. The absorption spectrum of the structure is investigated using the transfer matrix method. The results show that this structure has the one-way absorption in the visible spectral region. The effect of the defect layer location, the polarization and the direction of the incident field on one-way absorption behavior is studied and optimized. The location of the absorption mode is independent of the polarization type but its peak intensity and width in TE polarization dependent on incident direction varies by angle of incident. It should be mentioned that incorporating of graphene yield to enhancement of the absorption.
بلور فوتونی سهتایی, تک لایهی MoS2, جذب یکسویه, گرافن
Ternary photonic crystal, MoS2 monolayer, One-way absorption, Graphene
1037
1040
http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2022&slc_lang=fa&sid=1
Nayyer
Pourgorban
نیر
پورقربان
10031947532846008419
10031947532846008419
Yes
Department of Physics, Azarbaijan Shahid Madani University
دانشگاه شهید مدنی آذربایجان
Fatemeh
Moslemi
فاطمه
مسلمی
10031947532846008420
10031947532846008420
No
Department of Physics, Azarbaijan Shahid Madani University
دانشگاه شهید مدنی آذربایجان
Kazem
Jamshidi-ghaleh
کاظم
جمشیدی قلعه
10031947532846008421
10031947532846008421
No
Department of Physics, Azarbaijan Shahid Madani University
دانشگاه شهید مدنی آذربایجان